南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NAND Flash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26奈米内存,晶圆(wafer)产出量提高约25%。
DRAM内存半导体价格跌势持续第5个月,韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等内存公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说,然力晶却抢先公布第3季财报,税后获利19.36亿元,若加计瑞晶获利,第3季获利可望逼近30亿元;
储存型快闪记体(NAND Flash)10月上旬合约价出炉,再创今年新低,不过集邦科技透露NAND Flash在价格大幅滑落后,备货需求已见回温.
DRAM大厂力晶科技(5346)昨(18)日公布今年第3季不含转投资瑞晶之自行结算财务报告,第3季营收达250.24亿元,毛利率达17.35%,每股净利达0.34元。
最新研究报告指出,三星电子(Samsung Electronics Co)、Hynix等一线DRAM厂商的盈余数据可望在2011年第1季软着陆。该券商表示,一旦上述假设基础应验,南韩DRAM双雄股价将可触底回升。
10 月上旬储存型快闪存储器 (NAND Flash)合约价出炉,由于市场需求依然疲弱不振,NAND Flash合约价持续走跌,再创今年新低价。
10月上旬DDR3合约价再度重挫6~9%,符合DRAM业者对于下半年供过于求问题发酵的趋势,由于近期日系和台系业者面临库存压力遽增,因此持续低价走货,使得2GB容量DDR3合约价面临30美元关卡挑战。
10 月上旬DRAM合约价持续滑落,跌幅约6%至9%;DRAM颗粒价格可望在明年第1季末或第2季初落底,下半年市场有机会回复供需平衡。
全球NOR Flash产业版图大整并,台湾势力趁势窜起,上半年打下相当稳固的基础,也受惠NOR Flash报价上扬也获利丰厚,但展望未来还是要看各家的产品进度和制程技术能力,才能在第2回合之战中保持战斗实力。
拥有裕隆(2201)、联电集团(2303)背景的NOR Flash硅智财(IP)专业厂商常忆科技(3408)即将于本月29日正式登录兴柜,该公司董事长为徐善可,同时担任裕隆集团副执行长;总经理为王筱瑜,产业经历丰富。
晶圆代工厂第3季产能利用率仍维持在满载水位,但后段晶圆测试厂京元电、欣铨的8月及9月营收虽仍同步保持在高档,但10月之后产能利用率已明显滑落,主要原因是利基型DRAM及快闪存储器等订单突然喊卡。
尔必达广岛工厂目前月产能约为13万片(以12吋晶圆换算),其中可携式产品用DRAM占比仅约20-30%,故尔必达计划藉由改良产线并导入新制造设备,于2011年内将大部分产能转为生产可携式产品用DRAM。
虽DRAM价格不断走跌,但甫上兴柜的十铨(4967)认为对于DRAM模块厂来说,最危险的情况已经过去,主要是因通路库存已逐步下滑。十铨因低库存,上半年获利佳;
DRAM价格持续走跌,下游模块厂甚至看坏第4季DRAM价格恐下探1美元,台湾DRAM大厂的财务状况是否足以因应恶劣市况,又成为产业焦点。