海力士拟明年量产20奈米NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-10-19 08:32
南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NAND Flash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26奈米内存,晶圆(wafer)产出量提高约25%。
海力士社长权五哲表示,自2010年8月投入量产的26奈米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20奈米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势,然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其他竞争业者,但开始量产26奈米NAND Flash之后,相信技术方面与其他先驱企业间的差距已大幅缩减。
海力士在30奈米制程NAND Flash开发及量产上虽然较其他竞争公司晚了近6个月,但推出26奈米产品后则将差距缩减至1季。外界也期待海力士是否能与其他竞争公司在相近的时期中推出20奈米产品。
海力士2010年第2季末32奈米以下NAND Flash产品比重约占整体产品30%,8月量产26奈米产品后,第3季末产品比重已超越50%。第4季则将可望达到70%。
海力士2007年NAND Flash产品占有率约19%,其后市场萎缩,接连关闭NAND Flash主要产线8吋厂,2010年第1季时市占率已下滑至个位数。
以12吋厂为基准,三星电子(Samsung Electronics)每月产量30万片、日厂东芝(Toshiba)每月产量24万片,海力士目前每月产量仅7万片。海力士计划年底前将产能扩大至8万片,但权五哲对于扩大NAND Flash投资方面则慎重表示,将会综合考虑市场条件和竞争力等因素后,再进行投资。2011年投资金额目前尚未底定。
海力士2010年包含将DRAM生产设备转换为NAND生产设备等,在NAND Flash领域约投资1兆韩元(约8.96亿美元)。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多