明年第一季在中国农历年假期与平板计算机及智能型手机新机种上市的帮助,预期明年第一季NAND Flash市场受淡季的影响程度将会低于第二季,2011下半年价格跌幅将会小于上半年。

今年DDR3 2GB合约价从年初高点至今跌幅达46%。展望2011年,预估2011年DRAM产出全年成长在厂商加速制程转进下,可达50%,预估价格在明年第一季或第二季落底。市场期望DRAM随着搭载的成长,能让市场由超额供给回复至供需平衡,明年下半年市场价格

两韩交火,三大法人昨(24)日大举回补内存族群。惟内存现货价昨天走势不同调,储存型闪存(NAND Flash)强势走扬,8Gb容量涨幅逾2%最抢眼,有助群联(8299)、威刚等概念股走势,DRAM则小跌约0.6%以内。

国内IP厂智原(3035)近期USB3.0布局逐步发酵,预计随着明年第一季推出2 port的USB3.0芯片,USB3.0产品明年全年度营收将可望突破6亿元,占营收比重有机会超过1成。

南北韩23日发生军事炮击事件,引发市场对于DRAM和NAND Flash产品线后续有转单机会的联想,24日DRAM类股虽然相对抗跌,但DRAM现货价倒是不涨反跌,加上24日南北韩军事摩擦没有进一步的冲突,市场在激情过后,逐渐回复基本面来看待;

智能型手机用内存eMMC(embeded Multi Media Card)战火热!继三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、金士顿(Kingston)和群联携手都加入战局后,多芯片封装(MCP)解决方案供货商科统也将于2

朝鲜半岛紧张情势升温,市场对DRAM报价止稳有所预期,然而DRAM现货价却相当不赏脸,仅止稳半个交易日,昨日晚间6点最后一盘现货报价开出,仍旧呈现下跌走势。

南朝鲜交火,并未激励今天动态随机存取存储器 (DRAM)产品现货价出现暴涨走势,不过,现货价顺利止稳,较昨天持平表现。

DRAM产业景气不佳,现货价格持续下跌,力晶日前主动要求撤销申请发行8亿股的海外存托凭证(GDR);力晶指出,以目前产业的市况不适合再办理筹资,因此决定撤回,待DRAM产业景气好转再决定是否筹资。

南北韩军事紧张情势再度升高,由于南韩是全球内存DRAM和NAND Flash生产重镇,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率,NAND Flash则合计有超过50%市占,加上台湾DRAM产业近2

智能型混合讯号连接解决方案业者史恩希(SMSC)宣布购并USB 3.0控制芯片公司Symwave,未来会将双方产品做整合,SMSC相当看好USB 3.0未来的应用前景,这也是继SMSC在先前取得Symwave的14%的股权之后,双方正式宣布合并。

韩国三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)两家存储器大厂是全球主要存储器产业的供应者;三星的晶圆厂都位于韩国,旗下包括8寸晶圆厂Fab 9,以及12寸晶圆厂Fab 11A、Fab 11B、Fab 12、Fab 13和Fab

北韩23日下午向南韩所属的延坪岛开炮,南韩驻军也立即向北韩炮兵基地还击,并进入紧急备战状态。市场关心,两韩战火是否会越演越烈,甚至是否会冲击到南韩当地DRAM与面板两大重量级产业。

DRAM现货价持续破底,本季跌幅已逾三成,但从反向思考,再跌的空间也已有限;随著电子股人气回笼,力晶(5346)强攻涨停,现增案顺利完成的南科(2408)以及子公司华亚科(3474)股价亦同步上扬。

分析师预测NAND型快闪存储器价格已在第3季触底,记忆卡大厂SanDisk收盘大涨逾6%。美银美林证券亦看好明年NAND FLASH优于DRAM。若NAND FLASH价格回稳,有利创见(2451)、威刚(3260)、劲永(6145)等模块厂营运走出谷底。

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