两韩战火燃起 有利DRAM价格稳定

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-11-23 21:35
北韩23日下午向南韩所属的延坪岛开炮,南韩驻军也立即向北韩炮兵基地还击,并进入紧急备战状态。市场关心,两韩战火是否会越演越烈,甚至是否会冲击到南韩当地DRAM与面板两大重量级产业。国内的DRAM业者表示,两韩战事后续发展的影响程度仍必须观察,但短期之内,对DRAM价格将具有稳定作用。
力晶则表示,就目前两韩情势来看,仍无法判定是否会激励动态随机存取记忆体(DRAM)价格走扬,有待观察进一步情势发展。
不过,力晶指出,DRAM现货价已初步止稳,通路商库存也大幅降低,因此,中国农历年市场销售状况是观察重点;若中国农历年销售状况佳,不排除明年第 1季可望出现一波补货需求。
南科表示,南韩DRAM厂生产重镇并未在战区,因此,两韩交火并不会影响实际供需情况,不过,仍不排除短期激励现货价弹升。
南科指出,DRAM市场依然供过于求,产品价格压力仍沉重,只是各DRAM厂已陆续开始评估减产,预期明年第 1季减产效应可望逐步显现,有助产品价格回稳。
根据统计,三星电子在第三季的全球DRAM市场已拿下四成的市占率,如果加上海力士的话,南韩在全球DRAM版图囊括六成的市占率,具有主导地位,因此两韩点燃战火,市场直接联想若后市影响到三星、海力士的DRAM产出,将有利于改善目前的供需情况以及激励价格走势。
台湾DRAM业者表示,两韩战事还必须持续观察,短期来看,若战事仅止于此的话,应该还不见得会乐观到激励DRAM价格大涨,顶多可能会有稳定的作用,接下来的后续发展仍值得关注。
两韩战事影响力尚未蔓延,近日DRAM现货价已出现止跌回稳迹象。以现货市场为主的力晶(5346)表示,中国农历年前的补货效应开始慢慢显现,在需求略为好转之下,让DRAM现货价格获得支撑,而尔必达减产的效应将在12月开始浮现,预料可望对DRAM价格带来正面效果。
另外,美国感恩节零售端传来佳绩,是否有助于推升圣诞节的旺季效应。力晶则语带保守的指出,下游端的库存情况还是颇有疑虑,欧美终端消费力道转强,首先会先开始消化下游的库存,之后才会渐进反映到上游零组件制造端,现在观察客户拉货的情况还是偏向谨慎。
今天DRAM现货价并未因两韩交火出现劲扬走势,DDR3 1Gb颗粒现货均价反下滑至1.33美元,下跌0.3%,DDR3 2Gb颗粒现货均价滑落至2.39美元,下跌0.42%。
 

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