南北韩23日发生军事炮击事件,引发市场对于DRAM和NAND Flash产品线后续有转单机会的联想,24日DRAM类股虽然相对抗跌,但DRAM现货价倒是不涨反跌,加上24日南北韩军事摩擦没有进一步的冲突,市场在激情过后,逐渐回复基本面来看待;24日DDR2和DDR3现货价格都小幅下跌,而NAND Flash芯片则受惠需求面没这么弱而出现小反弹。
三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)是全球内存DRAM和NAND Flash生产重镇,随着南北韩发生军事冲突,市场对于后续可能进一步引爆战争所带动的转单效应都有所期待。
不过,24日三星和海力士的股价似乎没有受到此事件的波及,反而还呈现上涨,台系DRAM厂早盘股价反应较激烈,但收盘都呈现压回,只有部分中小型内存模块厂在股价跌深之下,强势涨停表态。
DRAM厂对于南北韩军事冲突看法较为冷静,认为除非真的有严重的武力冲突且伤及三星或海力士的晶圆厂,才有可能发生转单效应,但此机率看来不高,但因为三星战全球DRAM市占率实在太高,因此南北韩双方的一举一动,对于台厂而言都太敏感了,必须要持续留意后续发展。
虽然北韩曾放话要南韩经济倒退,但以北韩内部的现况,外界对于北韩挑衅的程度持保留态度,只是三星是南韩的经济命脉,如果有丝毫损伤,对于南韩的经济发展恐受到波及。
24日DRAM市场现货价格没有受到可能转单效应的激励,DDR2和DDR3反而呈现小幅下跌;主要是下游通路商目前备货意愿不高,因为整个DRAM市场仍是呈现供过于求,除非南北韩真的有进一步激烈的军事冲突,才会考虑进场备货。
不过,DRAM厂对于2011年第1季农历春节前的补货效应都相当期待,认为这是DRAM价格短线止跌的助力之一;但以长线而言,仍是寄望个人计算机(PC)内建的DRAM搭载率能尽快从2GB提升至4GB,强化终端需求的消耗量,才能真正拉拔整个DRAM产业脱离供过于求。
目前三星和海力士在全球囊括全球DRAM市场的市占率合计超过60%,NAND Flash则合计有超过50%市占;三星除了现有逼近40万片的DRAM产能之外,也要再盖Fab16持续扩充产能,不过,三星此座新厂房应该会以NAND Flash产品为主,因为DRAM市场供过于求严重,另一方面是在NAND Flash市场上,三星不能让东芝(Toshiba)取代其龙头宝座,因此不得不加速扩充NAND Flash产能。