根据报导,全球NAND Flash龙头厂东芝发生跳电事件,未来2个月的出货量恐将锐减20%。NAND Flash控制芯片大厂群联(8299)表示,东芝跳电消息传来之后,市场马上就出现买盘,预料这次的跳电将有利于改善市场供需情况,反观封测大厂力成(6239)
NAND Flash控制芯片业者群联和鑫创11月营收都较上月减少,反应市场开始进入传统淡季,但减少幅度都控制在10%;
内存业者停电事件屡见不鲜,过去都是韩系大厂为主,包括三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)都发生多次跳电事件,这次则是日系半导体大厂东芝(Toshiba)的晶圆厂发生跳电导致停工;
内存产业再度发生跳电影响产能事件,NAND Flash大厂东芝(Toshiba)位于日本四日市4座晶圆厂8日上午因为电力供应不足,出现短暂跳电状况,晶圆厂预计要到10日才能正式复工,此将导致东芝单月NAND Flash产能减少10~20%。
据报导,东芝(Toshiba Corp.)位于日本三重县(Mie Prefecture)四日市的NAND型闪存厂受当地火力发电厂电力供应不稳的影响,导致该厂部分设备自8日上午起即处于停摆状态。
尔必达(Elpida)和Rambus签订内存许可协议,包括尔必达旗下的内存产品线如利基型内存(SDRAM)、DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2、绘图卡内存(GDDR)如GDDR3和GDDR5等,对Rambus而言,预估这项许可协议可在未来
以11月营运来看,NOR Flash和Mobile RAM表现相对较佳,而与个人计算机(PC)相关的绘图卡内存(GDDR) 和利基型内存(SDRAM)产品线则相对挹注较小。
封测业11月营收陆续出炉。整体来说,依旧以内存封测业营收表现较佳,包括力成、福懋科和华东等单月实绩仍创历史新高纪录。在逻辑IC封测业相对疲弱,日月光、京元电呈现下滑,硅格持平,硅品和欣铨逆势微幅扬升。观察12月业绩,封测业普遍以持平或下滑局面看待。
海力士半导体(Hynix)扩大收益性较佳的44奈米制程DRAM生产比重,2010年第4季营业利益粗估约可达数千亿韩元。海力士相关人员表示,海力士的DRAM内存半导体产量中,44奈米制程产品比重将近50%,12月底将可望超越50%。
DRAM价格11月大崩盘,综合各家业者营收除了南亚科之外,都是呈现衰退,最后一家公布营收的茂德,营收则较上月减少20%,为16.18亿元;展望12月营运,业者认为DRAM报价止跌的趋势持续,12月营收难有出现大幅反弹,只能寄望制程微缩带动出货量增加,降低报
创惟科技(6104)今(8)日宣布其GL3310 USB 3.0 to SATA 3Gb/s桥接控制芯片已取得USB-IF Super Speed USB Bus Power产品认证,并由Kingston选用于部分USB 3.0新型产品上。
瑞银证券指出,DRAM价格下滑速度较市场预期快,恐将使得南科(2408)、华亚科(3474)与力晶(5346)明年损失情况恶化,三家大厂皆有再融资的可能,同时下修三家DRAM厂第四季业绩表现预期,并维持三家卖出评等。
11月DRAM价格大崩盘,存储器模块厂都顺势将产品出货重心放在NAND Flash相关产品上,创见受惠快闪记忆卡出货量大幅增加,NAND Flash相关产品单月出货量创下2010年新高,且比10月成长20.8%,力保创见11月营收还逆势成长6.59%,达2
在2010年第4季500GB以上高容量硬盘将占所有2.5吋硬盘出货量的30~35%左右,展望2011年,常规NB内建硬盘容量将正式移转至500GB时代,320GB则持续稳坐Netbook内建硬盘主流。
现在次世代微影技术还有很多阵营,除了EUV之外,还有无光罩多重电子和浸润式微影多重曝光技术等在竞争,而EUV技术最为人诟病的就是成本太高的问题,连光罩和外围材料设备要价都不斐:不过,市场也认为未来EUV机台成熟度高之后,有助于成本下降,希望能不再这么高不可