海力士半导体(Hynix)扩大收益性较佳的44奈米制程DRAM生产比重,2010年第4季营业利益粗估约可达数千亿韩元。海力士相关人员表示,海力士的DRAM内存半导体产量中,44奈米制程产品比重将近50%,12月底将可望超越50%。44奈米制程半导体电路和电路之间的线幅约44奈米,相当于头发的2,000分之1,为尖端半导体制造工程技术。
采用44奈米制程生产DRAM,相较于采用54奈米制程,以12吋单一半导体晶圆为基准可提升约50%的产量。制程越微细化,将可缩减半导体的尺寸及制造成本。
目前采用50奈米级制程生产的DRAM可提升营业利益的价格约为1.2美元,40奈米级制程约0.8~0.9美元。而根据市调机构统计,11月下半DRAM产品平均固定交易价格为1.22美元。
海力士将44奈米制程产品产量提升接近整体DRAM产量的一半,部分业者预测,海力士第4季营收将不需担忧赤字,甚至可能会有数千亿韩元的营业利益,扭亏为盈。
海力士2011年上半继44奈米制程后,将投入30奈米制程DRAM量产,2011年每季度也将可望能创造数千亿韩元的营业利益。
南韩NH投资证券公司研究员表示,海力士2010年第4季营业利益约可达到4,000亿韩元(约3.52亿美元)。与日本尔必达(Elpida)和美光(Micron)、南亚等50奈米级制程占比重较高的竞争公司可能面临赤字,或是收益性降低的情况形成鲜明对比。