内存模块厂宇瞻挂牌之路走得相当坎坷,在2004年和2007年分别受到DRAM跌价崩盘的影响,连续两次撤销挂牌申请,之后痛下决心进行营运转型,不再受标准型内存的波及,才促成宇瞻在2010年再度面对DRAM价格崩盘,但顺利守住获利,成功打破宇瞻魔咒,赶在201

内存模厂宇瞻科技赶上2010年最后一波上市成功,获利情况超乎预期,在景气不佳的内存产业中也成为异数。近几年宇瞻已转型到非标准型内存模块厂领域,加值型产品比重已达30%。

随着DRAM厂转换制程,产出增加,内存封测厂如力成科技、华东科技和福懋科技等2010年12月营收仍可望持稳或小幅增加,处于高档水平。

DRAM厂茂德(5387-TW)向最大债权银行台湾银行申请展延,并获债权银行书面(已签署之确认回复函)表示同意,将按原条件各展延续约1年。

据报导指出,为因应智能型手机带动的市场需求,日厂东芝(Toshiba)表示,旗下的四日厂于元旦期间停休,将加班生产手机用NAND Flash。

受到苹果(Apple)iPad平板计算机窜红的激励,NAND Flash大厂和模块厂陆续推出超小型固态硬盘(SSD)mSATA模块来抢占商机,继快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)推出P4系列超小型mSATA模块和iSSD产品后,创见也推出两款mSATA连

英特尔(Intel)布局固态硬盘(SSD)市场越来越积极,继2010年以低价SSD抢滩市场成功之后,再度宣布推出超小型SSD产品,切入工业、军规和平板计算机市场;

海力士半导体(Hynix)开发出以30奈米制程技术制作的2GB和4GB大容量DDR3 DRAM产品,计划于2011年第1季陆续投入量产。海力士这项30奈米制程的4GB DDR3 DRAM,是全球企业中首度开发出的新产品。

英特尔12月29日推出了一批新的用于双硬盘笔记本电脑、平板电脑和嵌入式设备的微型固态硬盘。英特尔称,这种微型固态硬盘的性能与较大的固态硬盘一样高。

mSATA接口的固态硬盘(SSD)一般是指超小型的SSD模块,不同于传统2.5吋或1.8吋的SSD产品,架构设计上类似于嵌入式系统的DOM型态,之前苹果(Apple)的MacBook Air采用mSATA接口的SSD,让市场对于mSATA SSD开始投以关

DDR3 1Gb继跌破DRAM业者成本价约1.5美元之后,又已濒临到0.8-0.7美元的现金成本价(不包含折旧),接下来更将力守变动成本价,也让DRAM业者转型迫在眉睫。

MIC产业顾问兼副主任洪春晖指出,模拟IC厂商面临IDM厂委外代工增加,压缩投片空间,再加上晶圆代工厂未来6吋及8吋扩产机会不大,产能长期恐面临不足的窘境,估计内存厂因DRAM价格持续滑落,未来将可能提供部分产能生产模拟IC。

海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后,将把DRAM的生产制程转换为30奈米级制程。海力士29日宣布,已开发出2款计算机用DRAM产品,将首度采用30奈米级制程量产。据海力士表示,计划采用38奈米制程生产4Gb和2G

平板计算机和智能型手机应用的崛起让NAND Flash产业找到新舞台,也让控制芯片业者发现另一新应用蓝海,循着过去快闪记忆卡市场崛起模式,各家NAND Flash大厂和模块厂都绑桩1家或多家控制芯片业者,未来eMMC市场发展的轨迹也会如法炮制。

eMMC应用领域主要以智能型手机和平板计算机为主,2010年需求才刚开始而已,预计2011年会更加蓬勃发展,尤其是全球投入平板计算机生产的业者高达80家之多,都会推动eMMC市场规模扩大。

简讯快报

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