海力士30奈米4GB DDR3下季量产

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-31 08:27
海力士半导体(Hynix)开发出以30奈米制程技术制作的2GB和4GB大容量DDR3 DRAM产品,计划于2011年第1季陆续投入量产。海力士这项30奈米制程的4GB DDR3 DRAM,是全球企业中首度开发出的新产品。
近来DRAM价格骤降,全球记忆体业者的营收也面临恶化危机,海力士期待开发出的新产品能强化其营收情况,并拉大与后继业者的差距。
海力士开始进行30奈米制程产品开发作业后,便开始采用同样制程也可缩减晶片尺寸的6F2技术,提升其生产性。采用6F2技术后,相较于过去的8F2技术,将能缩减晶片尺寸约44%。
以该技术开发的30奈米制程DRAM与40奈米制程DRAM相比,每晶圆的晶片生产数量增加近70%。且资料处理速度最高可达2,133Mbps,较旧产品的处理速度1,333Mbps提升约60%。2,133Mbps资料传输速度相当于透过16个I/O通道在1秒内处理约等于3、4部电影容量的4.2GB资料。
30奈米制程2GB伺服器用DRAM为采用1.25伏特(V)超低电压和侵环境技术的产品,较40耐米制程2GB产品的耗电量减少60%。
海力士欲减少利益较低的1GB产品生产比重,并扩大生产2GB、4GB DRAM产品,确保其领先地位。海力士CTO朴星昱表示,目前海力士DRAM整! 体产量的50%为2GB产品,未来将会持续扩大大容量、高性能、低耗电的产品比重,并主导4GB等高阶产品市场。
另一方面,据市调机构iSuppli表示,2010年第4季2GB DRAM比重约30%,至2011年第3季时将可望超越50%。此外4GB DRAM于2011年底将能形成市场,至2014年比重将可扩大至近43%。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多