适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即6月19日-6月21日放假,6月19日所有产品均暂停报价,6月22日(星期一)恢复报价。
据韩媒报道,三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米(1d)DRAM的设备,并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间,预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。
整体来看,SK海力士正逐步形成“中国无锡工厂主攻通用型与传统DRAM产品、韩国本土工厂专注尖端DRAM产品”的双线布局。这种策略旨在保持供应链的稳定性,并在全球产能竞争中维持市场竞争力。
铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。
据官方介绍,在高负载条件下的测试显示,搭载 GraTherX 的 DDR5 内存模组可实现高达 23.4°C 的降温效果,显著优于传统散热方案通常 3-5°C 的温降表现。此外,该设计还优化了模组正反两面的散热分布,有助于维持设备在长时间运行下的稳定性。
HBM4E是HBM4(第六代)的继任者,HBM4目前正在量产。预计它将被用于NVIDIA的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中,该产品将于明年发布。
据韩媒援引SK海力士和消防部门12日消息,当天上午9点55分(当地时间)左右,位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后,M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道,该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报,建议附近居民避开该区域,车辆绕行,因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门表示,调查发现并未发生燃气泄漏。SK海力士方面表示,已完成初步控制,正调查具体情况,生产设备运行正常。本月1日,SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。
十铨总经理陈庆文表示,综观存储供需失衡态势,乐观情况下预估将延续至2030年,保守估计至少将持续至2027年底。展望十铨未来几个季度,在整体大环境存储供不应求的基调下,合约价预期将维持涨价或高档盘整趋势。
目前,SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作,正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂,而是对清州M15工厂现有的产线(目前主要生产176层、238层和321层产品)进行改造升级,目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。
澜起科技宣布成功向客户送样DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片(RCD06)。该产品面向下一代服务器平台,可满足AI服务器、高性能计算(HPC)及云计算场景不断增长的内存带宽需求,支持高达 9200 MT/s 的传输速率,较上一代提升 15%。
SK海力士HBM最大客户的英伟达CEO黄仁勋近日访韩时明确表示:“三大存储厂商均已通过HBM4的质量测试,并正在推进量产。”他还表示,SK海力士过去是其最大的内存合作伙伴,未来也将继续保持这一地位,不会改变。
英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。
该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。
据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。
此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。