据韩媒报道，三星电子正在加快其平泽5号园区（P5）首条量产线（Ph1）的建设进度。目前三星正与主要设备厂商讨论，将Ph1的设备搬入目标时间从原定的明年第三季度提前至明年第二季度。
该RCD05芯片符合JEDEC DDR5RCD05规范，支持8000 MT/s的数据传输速率，较上一代RCD04产品提升约11%，为下一代服务器平台提供更充裕的带宽支撑。产品集成高性能、低抖动PLL时钟驱动电路，并支持CTLE连续时间线性均衡、ZQ校准等关键功能，有助于提升高速信号传输的信号完整性与稳定性。
起诉书显示，南亚科技DDR3及后代DRAM存储产品侵犯了两项与提升存储总线效率和校准片上终端电路相关的专利：US7,281,079和US7,432,731。原告称告技术涉及高速存储基础技术，解决了DRAM架构中的性能瓶颈。
适逢中秋佳节，按国家规定放假3天，即2026年9月25-27日放假。放假期间所有产品均暂停报价，9月28日（星期一）所有产品恢复报价。
当地时间2026年9月23日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件（III）启动337调查。
当地时间9月18日，德国慕尼黑第一地区法院第七民事庭就长江存储诉美光系列专利侵权案中的两起案件作出裁决，认定美光侵犯长江存储两项德国实用新型权，并颁发禁令，判令美光停止在德国销售相关侵权产品。
对于成本走势，陈俊圣预计，存储与SSD成本明年将低于今年。不过，终端产品价格反映零部件成本存在时间差，2026年第四季度至2027年第一季度，PC终端价格仍可能继续上调，涨幅约5%—20%；价格高点可能出现在2027年年中前后，之后有望止涨趋稳，下半年是否回落仍需观察供需变化。
据韩媒zdnet报道，SK海力士旗下子公司Solidigm正在考虑在美国建设首个NAND闪存生产基地。目前正处于协调工厂选址、投资时点等详细计划的阶段。
据韩媒引述业界消息，三星电子决定将PC、服务器和笔记本电脑所需的DDR5内存模块及SSD等增产部分，全部交由OSAT合作伙伴承接，不再扩充自有产能，以便将有限的内部资源集中投入到HBM等高附加值内存产品的生产中。
据媒体报道，英特尔首席执行官陈立武预计，由于AI需求不断增长，明年内存供应短缺的情况将更加严重。他表示，部分内存的价格已经上涨了五倍、六倍，甚至七倍，许多企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。人工智能领域对HBM的需求激增，给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。此外，陈立武还强调了先进封装技术的重要性，认为将CPU、AI加速器、HBM和I/O芯片集成到单个封装中，对于缩短数据传输距离、提高处理速度和能效至关重要。英特尔正凭借其专有的先进封装技术“EMIB”进军AI半导体市场。
据韩媒报道，三星计划打破以往完全依赖内部晶圆代工部门生产的模式，转而采取同时利用台积电工艺制造Base Die的“双轨制”战略。
据媒体报道，十铨总经理陈庆文表示，存储市场目前供给持续吃紧，第四季价格仍会上涨，但涨幅将较过去八、九个月趋缓，预计由单月大涨15%至20%，转为一季上涨约20%至30%。需求方面，陈庆文认为，DRAM需求目前比NAND Flash更加稳固，DRAM缺口非常明显且庞大；NAND Flash虽然也有缺口，但相对没有那么严重。供给方面，存储原厂产能都已被大量长约包揽，新厂扩产速度也跟不上需求。预计真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少。
如果所有设施投资计划都能顺利执行，预计长鑫从今年到2028年将能够稳定地确保每年至少7万至8万片的新产能。从长远来看，预计产能将扩大到每月60万片以上。
联发科公告，2026年8月合并营收达新台币641.83亿元（约合人民币136.13亿元），环比增长32.41%，同比增长44.08%，创下单月历史新高；今年1-8月合并营收达新台币4,139.91亿元（约合人民币878.07亿元），同比增长5.76%。
群联电子8月合并营收新台币282.76亿元（约合人民币60.17亿元），环比增长4％、同比增长377％，再创历史单月新高；1-8月累计营收达新台币1,642.93亿元（约合人民币349.62亿元），同比增长279%，同步刷新历年同期纪录。具体来看，群联电子8月控制芯片总出货量较7月增长10%，其中PCIe SSD控制芯片出货量环比增长77%，这表明AI服务器、企业级存储及高速PCIe SSD需求在持续扩张。
三星加速平泽P5首个量产线建设，设备引进时间或提前至明年Q2
假期临近存储现货整体横盘整理，个别让价换量成效有限难掩低迷市况
资源价格已攀升至历史峰值，本周行业DDR5内存条跟随成本上涨而小幅调涨
苹果秋季发布会：iPhone 18 Pro 9999元起售，旧款不降反涨，存储成本重塑定价逻辑