新工厂主要面向高带宽存储器(HBM)先进封装,属于半导体后端工艺设施,承担多层存储芯片堆叠、互连及集成等关键工序。项目将加强温阳与天安之间的先进封装生产协同,提升三星HBM产品的后端制造能力。

深圳宏芯宇电子(02681.HK)今日正式在港交所主板挂牌上市,H股最终发售价定为每股72.83港元,全球发售1471.72万股H股,募资总额约10.72亿港元,净额约9.94亿港元。香港公开发售获2.37倍认购,国际发售获1.45倍认购。

据韩媒Chosunbiz援引半导体行业消息,SK海力士的HBM4良率近期已突破70%。

闪迪在2026年电子展(electronica 2026)上推出了SANDISK iNAND CL EM181嵌入式闪存盘(EFD),进一步扩展了其面向物理人工智能和物联网(IoT)市场的嵌入式闪存解决方案产品组合。iNAND CL EM181专为各种嵌入式应用而设计,包括机顶盒、OTT 设备、家庭网关、智能电视和家用电器、智能安防摄像头以及数据中心日志记录。其容量为 64/128/256GB,顺序读取速度高达300MB/s,顺序写入速度高达225MB/s。

据报道,AMD于In Depth技术论坛发布MEXT预测式存储软件,通过AI管理DRAM与SSD间的资料配置,将较少使用的资料暂存至快闪储存,再通过AI预测后续需求,提前搬回DRAM,降低应用程式等待资料的时间。公司展示的特定代理工作负载测试显示,DRAM用量减半,仍可保留全DRAM配置99%的效能。

群联近日法说会上,执行长潘健成表示,今年第四季至明年第一季受消费市场疲弱影响,NAND及模组价格可能持平或小幅上涨。潘健成预期,农历年后中国AI需求升温,将进一步拉升NAND闪存需求。

报道称,美光已基本停止该厂施工,现场仅剩少量安全维护工程,完成后建设将冻结。公司管理层担忧当地劳资关系持续紧张,且此前与工会达成的协议存在被推翻的风险,美光已将暂停建厂计划告知台湾相关政府部门及一家供应商。

十铨科技近日在法说会上表示,本轮存储景气循环与过去不同,主要受到产业结构改变、原厂及模组厂寡占化影响,价格已连涨一年,短期内看不到反转迹象,且真正缺货最严重的时刻还没到,预计今年第四季至明年第二季末将是供货最吃紧的阶段。

与此同时他也提醒,存储紧缺能否一直持续到 2030 年,仍存在变量,取决于头部厂商扩产节奏、AI 投入增速、消费电子需求回暖情况,以及不同存储品类各自的供需状态。DRAM、HBM、各类 Flash 的市场环境并不一致,单一品类的缺货态势,不能直接套用到全部存储产品上。

本次募资净额的分配规划如下:约 40% 投向存储产品开发及商业化,35% 用于主控芯片研发迭代。

通过此次组织架构调整,SK海力士计划加速拓展其在美洲市场(关键客户触点)的业务,并进一步加强先进技术与产品研发之间的协同效应。

兆易创新Q3 扣非净利润维持在 45.51 亿元高位,主业盈利能力保持稳健。利润波动主要受 Q2 非经常性收益基数较高、产品价格与出货节奏变化影响。公司表示,业绩大幅增长核心来自存储芯片行业供给紧张、存储产品量价齐升;同时 MCU 等多条产品线持续发力,出货规模实现较好增长。

希捷管理层表示,AI应用正从模型训练扩展至推理和智能体工作负载,数据的持续留存与重复利用也在扩大大容量存储需求。希捷绝大多数近线EB供给已通过长期供应协议分配至2028年日历年末,部分云客户协议延伸至2030年日历年末。不过,产能分配并不等于未来收入和利润已经完全锁定,实际经营表现仍取决于出货履约、定价及成本变化。

为把握这一趋势,SK海力士正在开发配套的分层存储技术。其中,SALT-KV是一种软件技术,通过评估每个KV缓存的复用价值与存储成本,优化数据在HBM、DRAM和SSD之间的分配;CMM-Hybrid则是基于CXL的混合内存技术,将完整KV缓存存放于SSD,并预测未来可能需要的数据,提前预加载至DRAM。

知情人士称,英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模,混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格,但从2027年中期开始,8层产品的占比预计将明显扩大。

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