据韩媒报道,三星电子已于本月正式进入华城12号生产线“后端晶圆厂”的投产准备阶段。
产线改造落地完成,赋能高端DRAM后端工艺生产
三星电子已于本月完成华城12号生产线的改造工作,这条原本量产传统2D NAND闪存的晶圆厂彻底结束原有生产使命。2D NAND属于技术老旧的小众存储产品,市场竞争力持续弱化,三星此前决定今年停止该产品出货。华城12号线的改造投资方案于去年年中左右敲定,近期已完成位于华城的老旧NAND闪存工厂的停产和设施搬迁工作。
本次产线并非废弃关停,而是实现了老旧产能的高效盘活与功能转型。报道称,改造后的华城12号生产线将作为后端晶圆厂,将用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 两条产线将形成高效协同的生产体系,补齐高端DRAM生产的后端工艺短板、优化整体生产流程,有效提升高端DRAM量产效率与良品率。
产能红利即将释放,下半年DRAM出货量有望稳步攀升
本次华城老旧产线的战略性改造,是三星电子扩大先进DRAM产能的重要布局,将为其存储业务带来显著的产能增量。华城12号生产线此前2D NAND闪存月产能约为10万片。据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用。在完成功能转型、适配DRAM后端工艺后,这条产线的闲置产能将全面转化为高端DRAM生产能力,有效扩充三星整体先进DRAM产能规模。

