DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言，用于PC/NB上的为标准DRAM；而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主，eMMC采用统一的MMC标准接口，将存储芯片（NAND Flash）及其控制芯片（Controller）封装在一颗BGA芯片内。

东芝Flash颗粒编号信息

USB3.0超高速接口的实际传输速率大约是3.2Gbps（即400MB/S)。理论上的最高速率是5Gbps（即625MB/S）。

USB从1996年USB 1.0到2010年USB 3.0，理论上速度从1.5Mbps大幅提升到最大传输带宽5.0Gbps，也就是625MB/s，速度的提升显然易见。USB3.0兼容USB2.0传输速度，支持USB 2.0的三种传输速度--低速1.5Mbp

USB 3.0具有后向兼容标准，兼容USB1.1和USB2.0标准，具传统USB技术的易用性和即插即用功能。USB3.0技术的目标是推出比USB2.0快10倍以上的产品，采用与有线USB相同的架构。

简单来讲，USB3.0技术的核心优势有三：更高速度，向下兼容性，提供更大供电能力。

1.什么是USB 3.0？2.比USB 2.0快么？3.USB 3.0是如何做到这么快的？4.USB 3.0还有哪些更先进的地方？5.我现有的外设能够正常工作吗？....

USB协议说来话长。第一版USB 1.0是在1996年出现的，速度只有1.5Mbps；

因应MCU成长快速及程序数据储存需要，MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势，MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌Flash IP制程技术，为下一代Flash MCU带来的技术变革。

UHS-I(Ultra High Speed Phase I)规格是SD协会定义的SD 3.0超高速闪存卡规格接口，针对速度最快的SDXC和SDHC的闪存卡，推出两个全新的高速性能符号。第一个符号「UHS-I」，是用来表示总线界面速度高达104 MB/s、

在记忆卡分级制度上，为了更精准瞄准各种消费者族群的需求，也简单而言分为3个等级，包括Standard Class 2、Premium Class 6和Ultimate Class 10，同样是根据SD卡的读写速度来做区分。

Seagate Momentus XT 搭载了 7200rpm 2.5寸硬碟，除了内建了媲美 3.5寸硬碟的 32MB DRAM cache 外，还独特的加上了 4GB 的高速 SLC NAND flash。

东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健与日本产业技术综合研究所的研究小组，开发出了驱动电压仅为1V、功耗可比原来降低86％的 NAND闪存技术。

致力于新存储器技术开发的风险企业 Unity Semiconductor公司，宣称已开发出一种可取代NAND快闪存储器的技术，为记忆卡和固态硬盘（SSD）提供了新的储存媒介选择。