非盈利机构USB开发者论坛(USB-IF)今天正式宣布了USB Type-C认证规范,该软件协议能够为USB-C产品筑起一道安全防线,确保使用非兼容USB-C线缆进行充电的时候不会对产品造成损坏。

随着科技的发展,台式机/笔记本处理器(CPU)、内存条等配置越来越高,而HDD提升速度有限,导致硬盘与处理器之间数据的输入/输出成为台式机/笔记本性能提升的最大瓶颈,而SSD主流的SATAIII接口速度可达到600MB/S,PCIe接口速度更快,SSD可结

谈到SSD总会出现SATAII、SATAIII、PCIe Gen1x1(同PCIe Gen1.0x1)、PCIe Gen2x2(同PCIe Gen2.0x2)、AHCI及NVMe等专属名词,在这里小编也给大家做个简单的讲解。

在存储领域,尤其是在产品容量上,常用的单位容易混淆。

USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准,但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”,但它其实还能支持USB 2.0或3.0。

NAND Flash厂商主要是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)5家,原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久度问题将得到解决。

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

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存储厂商

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上市公司

数据有延时,04-06 15:11
存储原厂
三星电子 KRW 193100 +3.71%
SK海力士 KRW 886000 +1.14%
铠侠 JPY 22800 +4.35%
美光科技 USD 366.240 -0.44%
西部数据 USD 294.970 -0.93%
闪迪 USD 701.590 +1.28%
南亚科技 TWD 200.5 -4.98%
华邦电子 TWD 91.8 -1.40%
主控厂商
群联电子 TWD 1555 -5.76%
慧荣科技 USD 113.900 -2.63%
联芸科技 CNY 41.24 -1.90%
点序 TWD 78.0 -3.47%
品牌/模组
江波龙 CNY 285.57 -1.34%
希捷科技 USD 429.360 +1.47%
宜鼎国际 TWD 957 +2.79%
创见资讯 TWD 233.0 +1.30%
威刚科技 TWD 361.5 -1.90%
世迈科技 USD 20.690 +13.37%
朗科科技 CNY 41.45 -1.80%
佰维存储 CNY 210.29 -0.25%
德明利 CNY 352.02 -2.26%
大为股份 CNY 26.61 -9.30%
封测厂商
华泰电子 TWD 50.3 -0.40%
力成 TWD 202.0 +3.59%
长电科技 CNY 38.29 -0.49%
日月光 TWD 361.0 0.00%
通富微电 CNY 40.42 -0.86%
华天科技 CNY 11.36 -1.65%