三星拟将2nm工艺用于定制HBM逻辑芯片

存储器 网络 Andy 2026-01-22 16:32

据韩媒报道,三星电子将在定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略,提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。作为对比,台积电计划为定制HBM 基础裸片导入 N3P 制程(第二代3nm工艺)。

HBM由核心芯片和逻辑芯片组成。核心芯片由多个垂直堆叠并相互连接的DRAM组成,逻辑芯片则位于核心芯片下方,负责处理控制器功能。逻辑芯片 将HBM连接到系统半导体PHY(物理层),例如GPU,从而实现高速数据交换。

随着HBM工艺的日趋成熟,应用于逻辑芯片的技术也取得了快速发展。例如,从今年计划全面量产的HBM4开始,逻辑芯片将采用代工工艺而非传统的DRAM工艺制造。这是因为与DRAM工艺相比,代工工艺在提升性能和能效方面具有优势。

三星电子在HBM4逻辑芯片上采用了4nm工艺。芯片开发和量产分别由DS事业部内的系统LSI部门和晶圆代工部门负责。此外,三星电子已被证实正在采用2nm工艺设计用于定制HBM的逻辑芯片。

定制HBM是指客户将所需功能集成到逻辑芯片中。预计定制化HBM将从HBM4E(第七代HBM)开始得到广泛应用。HBM4E有望于明年发布。

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