新年新气象，2021年DRAM有望一路向好，NAND恐“命运多舛”！

回顾2020年，存储产业可谓经历了一波三折，首先是“疫情”冲击全球经济，加之国际贸易竞争让存储产业供需均受影响，存储产业上半年如履薄冰。下半年，数据中心领域需求从强劲转为疲软，半导体大型并购案不断，年底更是掀起芯片涨价风潮，晶圆代工产能吃紧的情况甚至将延续到2021上半年。

对于存储市场而言，受半导体原材料、晶圆代工产能紧缺影响，存储产业的部分缓解，比如封装和主控芯片已出现涨价的情况，再加上全球“疫情”反弹，尤其是海外疫情再度恶化，加剧了供应端的不确定性，已刺激DRAM市场备货需求持续高涨。另一方面，三大DRAM原厂一直供货有限，且无大货源释放出来，现货内存价格已持续了1个多月的涨势，部分渠道内存条价格累积涨幅甚至已逼近30%。

就目前市况，云计算三大巨头有望重启采购需求，而笔记本出货也是持续强劲，正在不断增加基于16Gb颗粒内存模块需求。此外，5G手机销售也有望带动2021年出货恢复成长趋势，三星、小米、OPPO等旗舰机搭载的LPDDR对8GB/12GB容量需求增加，汽车、物联网等需求也在增长。

供应端，三大DRAM原厂三星、SK海力士、美光工厂一直增产有限，再加上2020年底美光台湾地区桃园DRAM厂遭遇断电，以及台湾地区地震导致DRAM工厂产能损失，导致2021年首季度供应减少，目前大部分业内人士认为DRAM市场仍会持续供应紧缺，供需将呈现健康发展趋势。

相较于DRAM，NAND Flash在2021年则恐将呈现不同的景象。在需求端，虽然数据中心和笔记本市场对高容量SSD需求将持续增加，但是在移动市场，虽然预计2021年5G手机销量将达到5亿台，但是新款小米11仍与小米10配置容量一样，Reno 5 Pro和VIVO X60新机也是搭载的128GB和256GB容量，对NAND Flash产能的消耗恐不及预期。

供应端，三星、铠侠/西部数据在2020年大规模提高资本支出增加投资建厂，比如三星中国西安二期和韩国平泽P2 NAND Flash产线，铠侠/西部数据Fab7和K2工厂。同时，SK海力士和美光已突破176层3D NAND，128层3D NAND将成为2021年出货主流，NAND Flash市场供应将明显大增，甚至可能会超过需求的增长，增加市场供应过剩的风险。