采用96层QLC,提供从256GB到2TB容量,实现最高3300MB/s的顺序读取和最高2700 MB/s的顺序写入速度。
美光2300系列SSD采用96层QLC,提供从256GB到2TB容量,实现最高3300MB/s的顺序读取和最高2700 MB/s的顺序写入,2280 M.2尺寸,可满足广泛的台式PC和笔记本需求。
2025-06-27 固态硬盘
2025-05-14 固态硬盘
2025-05-13 固态硬盘
2025-04-18 固态硬盘
2025-03-13 嵌入式
三星半导体官网正式发布首款PCIe Gen6企业级固态硬盘PM1763。该产品性能较上一代产品提升高达2倍,能效提升高达1.8倍,其顺序读取速度高达28,400MB/s,写入速度高达21,000MB/s。PM1763支持E1.S、E3.S和U.2三种外形尺寸,U.2版本限Gen5容量范围从4TB到64TB,符合NVMe 2.1、OCP 2.6标准。
长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。
日月光宣布已开发出业界首个 310mm × 310mm 面板级封装 (PLP) 自动化产线,预计将于 2027 年上半年投入量产。随着 AI 加速器和 HPC 组件的复杂度与日俱增,面板级封装已成为实现超大规模系统级封装 (SiP) 架构的关键创新。相较传统的晶圆级封装 (WLP),使用矩形面板的 PLP 工艺可大幅提升载体的可用面积和单次加工面积,进而改善吞吐量和材料利用率。
长鑫科技科创板IPO今日上会。此次IPO拟募资295亿元,用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。
SK 海力士今日股价一度上涨超11%,成为亚洲第三家市值突破 1 万亿美元的企业;三星电子本月稍早晋升 1 万亿美元俱乐部。
SK海力士26日宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”,显著降低产品运行时的发热量。iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片(Core Die)向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于,直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件(ICE),构建专用热量排出通道(Heat Path)。相较传统方案,热阻(Thermal Resistance)降低30%以上,同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。
据外媒报道,美光科技全球运营负责人Manish Bhatia近日于投资者会议上表示,美光HBM4产能爬坡速度,比其去年量产HBM3 12层产品时快了两倍,目前产品良率的提升速度也在不断加快。此外,美光HBM4E的开发进展顺利,预计2027年将开始量产。
据报道援引业内人士消息称,铠侠计划明年开始量产第十代(BiCS 10)NAND闪存。据悉,BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层,与上一代(218层)相比,单位面积存储容量提升了59%,数据传输速度提升了33%,从而带来更大的存储空间以及速度,主要用于超大容量SSD的制造,且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的优化。
美光科技日前宣布,已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α(1-alpha)DRAM 的生产,这是美国迄今为止最先进的内存技术,将用于生产DDR4及LPDDR4产品,预计将于今年年底实现全面量产,将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体,该客户群体中并未包含数据中心领域。
德明利在互动平台表示,其光明智能制造基地定位为高端制造与测试验证中心,主要涉及企业级与嵌入式存储产品,投产后将形成覆盖智能制造、测试验证及规模化交付的一体化高端制造体系,具备企业级SSD、RDIMM及嵌入式存储等产品的测试与规模量产能力。目前光明基地正处于产能爬坡阶段,整体产能利用率处于合理水平。