为最小化DRAM堆叠间距，HBM4考虑采用无助焊剂键合技术

随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM键合技术，旨在将DRAM堆叠时的间距最小化。

目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程；SK海力士正在评估无助焊剂键合技术；三星电子也正在密切关注相关技术。

在HBM制造过程中，无助焊剂键合可以最大程度缩小DRAM堆叠间距。

一般键合DRAM时，氧化膜可能会降低键合品质，虽然「助焊剂」可以去除氧化膜的物质，但当使用助焊剂之后，即使经过清洗，仍会有残留物。虽然助焊剂是HBM制造的必要材料，但使用助焊剂会产生DRAM的间距问题。以HBM4为例，产品高度为775微米（µm），若要增加堆叠层数，必须缩小DRAM间的间距。在此背景下，业界走向无助焊剂技术，并考虑将无助焊剂技术应用于HBM4。

除无助焊剂键合技术外，业界也正在研发混合键合技术，混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，有望给半导体行业带来重大变化，预计最快将应用于HBM4E产品，2026年导入量产。在此之前，无助焊剂键合技术预计将先实现商用化。