英特尔CEO：摩尔定律正放缓至三年一次的节奏，但尚未消亡

据外媒报道，英特尔CEO Pat Gelsinger承认半导体行业步伐已经放缓，晶体管现在每三年增加一倍，这实际上大大落后于摩尔定律的步伐。摩尔定律认为芯片的晶体管数量每两年增加一倍。

近年来半导体行业的步伐有些落后于摩尔定律的趋势，促使许多人表示摩尔定律已死。但Gelsinger一直强调摩尔定律“仍然有效”。事实上，他甚至表示英特尔至少可以在 2031 年之前超越摩尔定律的步伐，并推行“超级摩尔定律”，这是一项利用Foveros 等 2.5D 和 3D 芯片封装技术来增加晶体管数量的战略。英特尔也经常将这一策略称为“摩尔定律2.0”，AMD也表示我们正在进入摩尔定律步伐放缓的时代。

Gelsinger表示，尽管摩尔定律明显放缓，但英特尔仍可以在 2030 年之前制造出 1 万亿个晶体管芯片，而如今，单个封装上最大的芯片拥有约 1000 亿个晶体管。Gelsinger表示，四项技术使这一切成为可能：新的 RibbonFET 晶体管、PowerVIA 电力传输、下一代工艺节点和 3D 芯片堆叠。