继QLC之后，高密度NAND走向何方？Solidigm提供企业级存储新思路

随着全球数字化转型，数字经济新增海量的数据存储需求，如何在有限的空间里存储更多的数据，这一核心诉求引导着NAND朝高密度高容量的方向演进。

十年前，消费级固态硬盘平均每GB高达1美元以上，1TB SSD对于当时的人们来说可谓是望尘莫及。但存储技术的进步使得遥不可及的想法变为现实，随着2D NAND向3D NAND转型，NAND实现从SLC、MLC、TLC到QLC的量产，加上不断提升的主控性能和固件算法，人们得以用更低的成本获得容量更高、性能更佳的SSD产品。

来源：Solidigm

带来如此巨大的变化得归功于SLC、MLC、TLC到QLC NAND的应用，每个Cell单元存储1个Bit、2个Bit、3个Bit到4个Bit，产生0/1电压状态按照二进制递进，存储密度大幅提升的同时，单位Bit成本显著下降。但随着NAND结构由简入繁，存储单元之间的电荷干扰增加，颗粒P/E耐久和读写性能逐渐走低。

不过通过存储技术不断进步，在3D NAND、NVMe主控加上固件算法优化的加持下，同时具备高容量和高速读写性能优势的TLC SSD全面超越平面时代MLC SSD。不仅数年前饱受争议的TLC NAND在3D堆叠的100+层发展如日中天，现如今QLC凭借容量和成本优势也逐渐展露锋芒。NAND堆叠层数来到200+，将延续TLC/QLC的应用，那么，下一代五层单元的Penta Level Cell（PLC）会否重演TLC“真香定律”？

9月20日，Solidigm亚太区销售总监倪锦峰先生将出席中国闪存市场峰会CFMS2022，并发表重要演讲！

Solidigm虽然是家新锐存储公司，背后实力却不容小觑，实际上接管着英特尔存储部门被SK海力士收购后的SSD业务，在企业级和消费级领域双重发力。背靠SK海力士、英特尔深厚的存储技术积累，Solidigm前不久还披露了全球首款PLC SSD，通过每单元存储5 Bit数据，较QLC SSD的存储密度增加了25%。

这款采用FG(Floating Gate)浮栅技术的PLC SSD，将率先用于数据中心存储领域

FG浮栅结构想必并不陌生，此前称霸平面NAND闪存，而3D NAND时代CT(Charge Trap)电荷捕获结构迅速崛起。两者最大的区别在于存储电荷的材料不同，FG是用浮栅极的导体来存储电荷，电子可以在里面自由移动，依靠浮栅极下面的氧化物绝缘层来锁住电子。CT则采用高电荷捕捉密度的绝缘体来存储电荷，一般为氮化硅，存储的电子故而难以逃脱不易移动。

FG的优势在于导体中电子的留存能力更强，实现更长的数据保持时间，结合QLC/PLC高密度存储的容量及成本优势，在擦写频率较低的应用领域与HDD开展直面竞争。而CT电荷捕获结构由于存储层采用绝缘材质，构成的电荷存储层可以形成一根连续的圆柱体，将存储单元连接在一起而不需要做层间分隔。CT相较FG结构对底部氧化层更不敏感，即使经过反复擦除，氧化层老化厚度变薄，写入能力依然不减。

3D NAND时代起，CT电荷捕获结构凭借可制造性更好、成本更低的优势，获得三星、SK海力士、铠侠及西部数据、长江存储的支持，美光也从176层开始改用CT结构。而此次对外披露的Solidigm采用FG技术的全球首款高密度存储PLC SSD，未来将率先用于对性能要求极高的数据中心领域。

结合SK 海力士和英特尔两家杰出公司的SSD创新结晶的新锐企业Solidigm，拥有跨越多种技术的创新，包括FG和CT结构，TLC, QLC, PLC技术等等，Solidigm如何通过先进技术赋能，充分发挥存储优势，满足多样化的市场需求？9月20日，Solidigm亚太区销售总监倪锦峰先生，将代表Solidigm出席中国闪存市场峰会CFMS2022并发表重要演讲，敬请期待！