DB HiTek改进8英寸半导体工艺

据韩媒报导，韩国晶圆代工厂DB HiTek 将生产基于新型半导体晶圆沉积技术（Gan-On-Si）的 8 英寸半导体。它是一种使用“硅上氮化镓”(GaN-On-Si) 技术在硅晶片上沉积 GaN 材料薄膜的技术。GaN 是下一代半导体材料，可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。

应用 GaN-On-Si 技术时，由于有利于在硅晶片上沉积 GaN，预计可以通过提高半导体制造的竞争力来简化晶片加工并增强盈利能力。

GaN-On-Si 是台积电在代工行业首次应用于 6 英寸晶圆代工的技术。台积电与意法半导体合作，在2020年确保6英寸半导体生产技术，并在新的一年实现下一代半导体的商业化。台积电和Vanguard也有望将GaN-On-Si技术应用于台湾代工厂。

DB HiTek计划通过充分利用忠北的 Sangwoo fab 或进行额外投资来满足电动汽车和电动设备等对8英寸半导体的需求。