美光量产全球首款176层NAND，市场将何去何从？

美光宣布已开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash。与上一代128层3D NAND技术相比，将读取延迟和写入延迟改善了35%以上，基于ONFI接口协议规范，最大数据传输速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作负载性能提高15%，紧凑设计使裸片尺寸减小约30%，每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。

美光新的176层3D NAND已在新加坡工厂量产，并已通过其Crucial消费类SSD产品线送样给客户，并将在2021年推出基于该技术的新产品，瞄准5G、AI、云和智能边缘领域的增长机会，满足移动、汽车、客户端和数据中心领域不断增长的存储需求。

其他原厂3D NAND进展如何？

数据来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket

三星

2019年8月开始量产第六代（1xx层）TLC V-NAND，并基于该技术推出了面向消费类980 PRO和数据中心的PM9A3系列SSD。为了提高市场竞争力，三星正在加速第七代V-NAND（160层以上）的研发，预计2021下半年在新建的平泽NAND新产线投产，以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

铠侠/西部数据

2019年基于96层QLC单颗Die容量已实现了1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技术，采用的是112层堆叠BiCS5，初步量产的是512Gb TLC产品，已经面向消费类的产品发售，QLC 单颗Die容量将达1.33Tb。

SK海力士

2019年5月送样96层QLC 4D NAND，单颗Die容量1Tb，同年次月又推出了128层4D TLC NAND，2020年下半年送样该新技术的企业级PE8111系列SSD，容量高达16TB，并计划在未来开发32TB容量企业级SSD。
 
另外，SK海力士已在2020年第三季度开始全面销售128层NAND Flash产品，以应对市场稳定的移动需求做出反应，预计第四季度供应将持续放量。

英特尔 

英特尔已经成功研发出144层堆叠的QLC闪存，容量较96层QLC提升了约50%，计划是在2020年底前投入生产，并会推出基于该新技术的消费类和企业级SSD。

虽然SK海力士收购了英特尔NAND业务，包括中国大连3D NAND工厂，但是在2025年之前，英特尔将继续运营大连工厂和制造设计技术，在目前的144层节点之后，有望再拓展两到三代。

长江存储

2020上半年发布128层QLC 3D NAND（型号:X2-6070），具有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb单颗Die容量，并在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。同时，长江存储也发布了128层512Gb TLC 3D NAND（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
 
3D NAND技术进入100层以上竞争，市场将何去何从？

3D NAND技术是核心竞争力，原厂之间的竞争也从未停歇，2020年原厂3D NAND供货主力仍以96层为主，并不断的提高128层3D NAND产出，同时三星、SK海力士等积极的导入到消费类和企业级SSD中应用。

随着3D NAND技术的发展，三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士3D NAND技术已发展到了128层，新晋Flash原厂长江存储也跟进发布了128层TLC/QLC，如今美光抢先推出全球首个176层3D NAND，让原厂之间的技术竞争越发激烈。

随着3D NAND堆叠层数的增长，3D NAND技术经历了24层、48层、64层、96层、128层等几个堆叠阶段，NAND Flash单颗Die容量也发展到了1Tb，如今进入100层以上堆叠，NAND Flash供应量将进一步增加。

数据来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket，数据截止至11月9日

反观NAND Flash市场现状，近2年价格行情可谓大起大落，不仅经历2019年寒冬，2020年又遭遇“疫情”严重冲击，导致手机市场需求大幅下滑，再加上数据中心领域市场需求在2020下半年降温，产业链存储企业已是负重前行，如今海外“疫情”再次来袭，Q4存储产业再度陷入困境。

在原厂3D NAND技术不断升级的推动下，势必会使得NAND Flash产能进一步增加，在存储产业市场需求低迷之际，无疑对短期的市场价格带来较大的压力。不过，从产业发展角度而言，NAND Flash技术的升级也将刺激eMMC、UFS、SSD等主流产品性能的提升，容量的增加，带来更多创新机会。