FinFET/3D NAND前景亮 推升半导体设备需求

鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载设备、物联网和穿戴式设备发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。

应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。

应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28nm到20nm，甚至发展至16/14nm，未来将因制程变化而带给设备商20至30%的成长空间；另外，3D NAND是存储体产业数十年来最大的技术演进，随着3D NAND堆叠层数不断增加，亦将进一步推升半导体设备需求规模。

有鉴于此，应用材料针对3D NAND部分，已于今年7月推出新款蚀刻系统--Centris Sym3，据了解，该系统能改善均匀度的挑战。所谓均匀度，指的是晶圆中央相较于晶圆边缘的均匀和一致性，而此系统能够提升效能和良率，目前出货已超过300台。

另外，余定陆指出，在电晶体技术方面，FinFET未来可能利用新材料，譬如矽锗(Silicon Germanium)，或是新架构比方像Gate all Around，这些新的材料与架构将有利该公司的磊晶技术发展。

同时当发展至20nm以下的制程时，在导线方面将会遇到可靠度的挑战，为因应此挑战，该公司利用新元素--钴(Cobalt)，来推出化学气相沉积钴金属(CVD Cobalt)系统，借以改善可靠度的问题。

值得一提的是，面对中国近年半导体设备商崛起，是否对半导体设备业造成影响？余定陆认为，要发展半导体设备，必须花费至少十亿美金，以及寻找适当的人才/团队投入，同时需要较长的投资期限，因此较不容易影响原有的设备商。