中芯国际与英飞凌签订协议 合作生产DRAM

上海中芯国际(SMIC)与英飞凌科技(Infineon Technologies)日前宣布双方正式签订协议，进一步合作生产标准存储器芯片(DRAM)。根据协议，英飞凌将向中芯国际转移0.11微米的DRAM沟槽技术和300mm产品的专有技术。该技术将用于专为英飞凌制造产品。

这一新的举措将提升英飞凌的整体产能，中芯国际目前正在北京兴建的300mm晶圆厂，将为英飞凌提供每月约15，000片以上的产能。2002年12月，两家公司签订了有关转移0.14微米DRAM沟槽技术的协议，中芯国际将于上海的200mm厂房使用英飞凌的技术专为英飞凌生产芯片。随着中芯国际北京厂进程的推进，原先20，000片8英寸芯片的月产能加上现在每月15，000片12英寸的芯片，使总产能有了很大提升，折合产能达到58，000片200mm的芯片。新建的300mm厂房预计可能于2004年夏天制造出第一批产品。

“通过与中芯国际合作的拓展，我们无须投资建造生产线，就可以增长DRAM业务，”英飞凌存储器产品部执行总裁Harald Eggers表示，“同时，我们可以在中国这个最具潜力的市场进一步提升我们的地位。”

中芯国际总裁兼执行长张汝京表示：“随着半导体业委外代工业务的不断扩大，中芯国际高品质的代工服务将为双方开创双赢局面。”

双方此次合作有助于巩固英飞凌作为全球第三大DRAM制造商的地位，并增强其在中国半导体市场的地位。根据市场分析公司Gartner Datarequest的预测，中国半导体市场规模将从2002年约160亿美元增长至2006年310亿美元左右。