SK海力士转换产线　需面临人才与资金难题

据报导，SK海力士位于韩国京畿道利川的DRAM产线M10，将转换为系统芯片产线。存储器设备将转移至正在建设中的M14产线，其它设备和无尘室SK海力士将用来架构12寸晶圆系统芯片产线。

SK海力士将配合M10转换为系统芯片产线启动日程，积极展开IC设计和晶圆代工事业。SK海力士为存储器市场上的巨人，但在系统芯片市场上，仅为后起业者之姿。

同为韩系大厂的三星电子(Samsung Electronics)也耗费相当长的时间，材在系统芯片市场上站稳脚步，且目前在培育事业上仍存在难题。这也是SK海力士决定将M10转为系统芯片产线后，引来韩国半导体业界关注的原因之一。

SK海力士为在系统芯片市场上取得一席之地，可能会仿效三星投入移动应用处理器(AP)研发，或跨入晶圆代工市场。

系统芯片市场规模庞大，达存储器市场的3.2倍，然排除AP、CMOS影像传感器(CIS)、电源芯片等部分产品外，属于多品种、少量生产的体系。若要以制程技术在市场上决胜负，AP、晶圆代工等市场较合适。尤其晶圆代工市场规模比DRAM大10%、比NAND Flash是场大30%以上。

SK海力士只要确保20纳米以下微细制程技术，不仅是AP，在晶圆代工市场上也将具备相当的竞争力。但SK海力士当务之急是解决人力和智能财产权(IP)不足的问题。系统芯片市场与强调规模经济效果的存储器不同，需要相当的经验和诀窍。韩国可设计系统芯片的专业人才数量并不足够。

如三星电子与GlobalFoundries携手合作，集成系统芯片产线平台，在短期间内提升并募集智能财产权是解决问题的方法之一。惟SK海力士必须要祭出有力的牌，才可能取得其它业者的合作。

韩国半导体专家指出，SK海力士一方面要耐心延揽IC设计人才，一方面应积极展开购并。此外，SK海力士的资金能力也是一大变量。

系统芯片微细制程技术进展速度快，投资的负担将逐渐扩大。过去要架构65纳米制程系统芯片产现，约需29亿美元资金。但要打造28纳米制程产线，约需58亿美元。想要确保20纳米和14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)产线，约各需90亿及102亿美元。

SK海力士若要确保微细制程设备，将需投入天文数字般的资本支出，目前SK海力士持有的现金资本，粗估约3兆韩元(约29亿美元)。

韩国证券分析师表示，SK海力士过去运用中古设备降低投资负担，且创造成功案例。SK海力士或可应用此投资经验，以母公司SK电信 (SK Telecom)的全球网络确保客户，就有机会在短时间内创造成果。

另一方面，目前M10产在线主要生产26纳米制程DRAM。SK海力士考虑产线转换后，生产40纳米级自主研发芯片。韩国业界推测可能是无线射频(RF)芯片。

SK海力士以40纳米级系统芯片在市场上站稳脚步后，将可执行28纳米、20纳米后段微细制成的投资。为抓住系统芯片市场上的主流，SK海力士仍需要AP技术。

半导体技术正往提升性能、降低耗电量的方向进化。这也是封装AP与DRAM、NAND Flash的矽穿孔(TSV)技术受到注目的原因。大多数半导体厂为实现异种芯片TSV技术，正积极进行研发。

SK海力士也正与AMD、英特尔(Intel)等全球性大厂携手研发异种芯片TSV技术。未来SK海力士可能朝著将自主研发AP与DRAM、NAND Flash封装的方向迈进。

M10若正式转换为系统芯片产线并启动，SK海力士的事业结构也将从以存储器为中心迅速重整。SK海力士为扩大系统芯片事业，2014年初延揽前任三星系统LSI事业部副社长徐光璧担任要职，并持续扩充系统芯片专业人才等。