2010年第3季全球NAND Flash市场仍是由三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)独占鳌头，2者市占率分别为39.7%和35.7%，囊括全球75%以上市占率，整体来看，平板计算机(Tablet PC)及智能型手机(Smartphone)带来的应用需求填补许多快闪记忆卡和随身碟的需求下滑，第3季全球NAND Flash规模约51.07亿美元，较第2季47.76亿美元增加6.9%。
2010年NAND Flash市场是上游大厂的天下，一方面是快闪记忆卡和随身碟需求的萎缩，另一方面是智能型手机和平版计算机带动内嵌式内存需求的崛起，使得内存模块厂的商机消失，反观NAND Flash大厂生意越来越好。
据统计，2010年第3季全球NAND Flash市场位出货量约17%，但平均售价(ASP)下跌9%，使得NAND Flash品牌厂商整体单季营收达51.07亿美元，较第2季47.76亿元增加6.9%。
在全球排名方面，三星仍位居全球第1，第3季营收贡献达20.29亿美元，市占率为39.7%，有重回40%市占的潜力；东芝单季营收达18.21亿元，市占率达35.7%，2者合计掌控全球超过75%以上的市占率，再者市占率依序是美光(Micron)、海力士(Hynix)和英特尔(Intel)。
三星第3季NAND Flash位成长率为10%，平均售价下跌5%，第3季营收为20.29亿元，在持续扩充产能和持续制程微缩下策略，三星第4季NAND Flash位出货量将达20%，主要都是以供应系统端客户对于内嵌式内存为主，不过在平均售价上，则预期第4季持续跌价约15%。
三星目前的策略除了持续扩大内嵌式内存比重外，也会提高20奈米制程世代的产品，以降低成本结构，并持续调整产品组合，如白牌记忆卡、随身碟半成品、多芯片封装(MCP)、Movi-NAND 和固态硬盘(SSD)等，以及调整客户结构，以增加销售管道。
东芝方面，第3季市占率35.7%仍是紧追三星之后，东芝第3季营收较上季成长15.3%。制程技术上，东芝第3季32奈米制程产出比重已大幅提高，预计第4季24奈米制程比重会持续提升，以及TLC产品出货量的增加，都可以带动NAND Flash成本持续下降。
东芝和合作伙伴新帝(SanDisk)在日本四日市新厂的建厂计划也开始进行，此座厂房原本在2009年春季动工，预计在2010年可完工投产，但之后因为全球金融海啸而暂停扩产，2010年宣布恢复兴建，并在2011年春季完工，夏季开始投产。
除了三星和东芝之间的龙头战总是吸睛外，美光和海力士之间争夺第3名的戏码，也是外界在分析NAND Flash产业市占排名时的焦点，2010年第3季全球NAND Flash市占第3名仍是由美光胜出，其市占率为10.2%，小胜海力士9.4%的市占率。
美光第3季位出货量下跌7%，平均售价仅小跌3%，单季营收为5.22亿美元。美光平均售价下跌幅度不大，旗下有自己的品牌通路Lexar也是因素之一，加上系统大厂的订单稳定，能将NAND Flash价格下跌的冲击减到最低。
美光2010年5月已完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx)，未来会持续提升内嵌式内存的出货比重，包括eMMC和MCP等业务。此外，美光和英特尔合资的新加坡12吋晶圆厂也持续扩产，未来持续扩大NAND Flash领域市占。
在制程技术上，美光陆续在34奈米和25奈米制程上领先，预计第4季25奈米制程产品将成为主力，有助于强化成本结构，同时也提升智能型手机及平板计算机所需的内嵌式内存比重。
海力士在全球市占率之争上，连续败阵给美光，第3季海力士持续提升32奈米制程的比重，同时在第4季也加速转进下一世代26奈米制程技术，以强化其成本竞争力。
海力士第3季位出货量高达42%，但平均售价下跌23%，出货量增加是制程微缩的贡献，而价格跌幅扩大，是因为降价促销之故；展望第4季，预计海力士位出货量可增加15%，平均售价约小跌10%，主要降低价格都已集中在第3季。
美光的友好伙伴英特尔第3季位出货量仅小幅成长，平均价格也是小幅下跌，单季营收较上季下跌15.3%为2.56亿美元，未来制程技术上策略与美光相同，将持续提升25奈米制程比重，并提高固态硬盘(SSD)比重来增加竞争力。
