DRAM价格急涨至2美元以上，台湾岛内外DRAM厂不仅将产能利用率由第三季七成提高到第四季的九成，制程微缩速度也加速，包括三星、美光、海力士等阵营，已开始以50奈米投产，尔必达也积极微缩至60奈米以下。由于制程微缩加上DDR3投片量大增，封测产能年底前已确定供不应求，加上价格顺利调涨，包括力成（6239）、福懋科（8131）、华东（8110）等均展开大扩产计划，业绩可望逐季成长至明年第三季。
DRAM价格持续飙涨，对后段封测厂可说是一大利多，因为上游DRAM厂现金流量转正后，更有利于DDR3世代接单平均价格（ASP）调涨。业者表示，DDR3封装需改成晶片尺寸封装（CSP），单颗晶粒平均报价约0.25美元，与DDR2采用的闸球阵列封装（BGA）仅报价0.15美元相较，价格就上涨了逾6成。
测试端则需更大的投资。DRAM测试一般包括功能测试及速度测试，现有旧机台可以支援功能测试，但当DRAM世代交替至DDR3后，时脉速度高达1066MHz至1333MHz，业者需要购买新测试机台，才能配合DRAM厂大量出货。
此外，目前DRAM厂主流的70奈米颗粒测试时间约400秒至450秒，但随着微缩制程至50奈米，测试时间拉长至800秒至900秒间，加上制程由70奈米微缩到50奈米后，单片晶圆产出将增加80％。所以在测试时间拉长、单位产出量大增近一倍的情况下，不仅单颗测试均价将由0.1美元涨到0.15美元，现有封测产能亦无法因应需求，业者当然得展开大扩产计划。
