编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50
什么是MRAM?
何为MRAM? 百度百科是这样说的:“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。”
划重点:
MRAM是非挥发性介质;
MRAM是磁性随机存储介质;
MRAM具有RAM的读写速度;
MRAM可接近无限次写入。
MRAM特点
我们来看看MRAM有哪些特性。
首先看看MRAM有多快。
MRAM(Spin Torque MRAM)的读写速度跟DRAM差不多。3D-Xpoint、PCM等新型存储介质,在写速度方面跟MRAM相差二三个数量级。所有新型存储介质中,MRAM是唯一一个真正做到和DRAM一个级别访问速度的介质。
除此之外,MRAM还具有很好的数据保持性和宽的工作温度范围。
总结一下MRAM的特点:
基于闪存的SSD,由于每个block寿命有限,因此SSD固件需要做磨损均衡(wear leveling)算法。MRAM由于长生不老的特点,固件就无需实现wear leveling了。
闪存不能覆盖写(写之前需擦除block),因此SSD固件需要做垃圾回收。MRAM可以原地更新,因此不存在垃圾回收之说。
MRAM数据存储原理
我们知道,闪存数据存储在浮栅晶体管,通过往浮栅极注入电子的多少来表示逻辑“0”和“1”。
存储原厂 |
三星电子 | 56800 | KRW | +1.07% |
SK海力士 | 207500 | KRW | +1.47% |
铠侠 | 1982 | JPY | -0.65% |
美光科技 | 101.090 | USD | +2.96% |
西部数据 | 53.385 | USD | +2.29% |
闪迪 | 38.515 | USD | +3.17% |
南亚科技 | 45.85 | TWD | +0.11% |
华邦电子 | 16.70 | TWD | -1.18% |
主控厂商 |
群联电子 | 506 | TWD | +1.71% |
慧荣科技 | 64.470 | USD | +1.43% |
联芸科技 | 37.05 | CNY | -0.30% |
点序 | 52.8 | TWD | -1.49% |
品牌/模组 |
江波龙 | 70.75 | CNY | -0.60% |
希捷科技 | 121.960 | USD | +2.36% |
宜鼎国际 | 227.5 | TWD | -0.44% |
创见资讯 | 105.5 | TWD | +1.93% |
威刚科技 | 91.3 | TWD | +1.11% |
世迈科技 | 18.915 | USD | +4.16% |
朗科科技 | 22.06 | CNY | +0.09% |
佰维存储 | 57.92 | CNY | +3.28% |
德明利 | 105.91 | CNY | -0.20% |
大为股份 | 13.81 | CNY | -0.58% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.10 | TWD | +7.51% |
力成 | 116.0 | TWD | +2.20% |
长电科技 | 32.03 | CNY | -0.40% |
日月光 | 133.5 | TWD | -0.74% |
通富微电 | 23.26 | CNY | -0.77% |
华天科技 | 8.69 | CNY | -0.57% |
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