Kingston SSDNow V+200系列
Kingston SSDNow V+200系列

V+200系列采用Intel MLC NAND 和LSI-SandForce SF-228控制芯片，读写最高分别为535MB/秒、480MB/秒。

金士顿 2013-07-25
Samsung 840系列
Samsung 840系列

840系列是830系列之后的新产品，采用 TLC NAND和MDX控制器，不过容量和读写没有320系列多和速度快。

三星 2013-07-25
Toshiba THNSNF系列
Toshiba THNSNF系列

THNSNH系列使用了19nm Toggle NAND Flash，搭载TC58NC5HA9GST八通道控制器，有多种规格产品。

铠侠 2013-07-25
Transcend SSD320系列
Transcend SSD320系列

320系列采用SATA III接口，Micron MLC NAND Flash和SandForce控制芯片，读写速度也均在500MB/秒以上。

创见 2013-07-24
Transcend mSATA SSD系列
Transcend mSATA SSD系列

mSATA SSD采用24nm MLC NAND Flash，提供快速读写与长效可靠性，适用于Ultrabook、平板电脑与薄型服务器。

创见 2013-07-23
Adata XPG SX900系列
Adata XPG SX900系列

XPG SX900系列采用Intel MLC NAND Flash，存储容量较多，最低为60GB，读写速度也均在500MB/秒以上。

威刚 2013-07-23
SSDNow mS200 Drive系列
SSDNow mS200 Drive系列

mS200系列袖珍外形十分适合笔记本电脑、平板电脑和超级本，而且提供480GB大容量存储，高读写速。

金士顿 2013-07-20
Adata Premier Pro SP300系列
Adata Premier Pro SP300系列

Premier Pro SP300系列是mSATA接口，接口速度为 3Gb/s，容量24GB-64GB，读写速度低，面向低端客户。

威刚 2013-07-19
创见SATA II（3Gbps）系列
创见SATA II（3Gbps）系列

SATA II系列采用SLC和MLC NAND生产，厚度9.5mm，最大读260MB/秒，写230MB/秒。满足一般用户使用。

创见 2013-07-18
Adata Premier SP800系列
Adata Premier SP800系列

SP800系列采用SATA II接口，容量有64GB、32GB，读写分别为280MB/秒、265MB/秒，产品厚度为7mm。

威刚 2013-07-17
Intel 335 SSD系列
Intel 335 SSD系列

335系列采用美光20nm MLC NAND和SandForce 2281控制芯片，读取速度高达500MB/秒，写入速度400MB/秒。

英特尔 2013-07-17
SK Hynix 920系列
SK Hynix 920系列

采用SK海力士自己2ynm Flash，单颗Flash Die容量64Gb，容量提供64GB-512GB，采用SATA III接口。

SK海力士 2013-07-17
Sandisk X110系列
Sandisk X110系列

基于先进的19nm NAND，容量高达256GB,连续读写性能高达505/445MB/秒,为超级本、笔记本和台式机设计。

闪迪 2013-07-16
Samsung 840 PRO系列
Samsung 840 PRO系列

840 PRO系列是840系列的升级版，提高了产品的写入速度，速度最高达520MB/秒，为顶级专业用户提供。

三星 2013-07-16
Samsung 830系列
Samsung 830系列

830 系列采用27nm NAND Flash和MCX主控芯片，存储容量种类较多，而且产品类型多样。

三星 2013-07-10

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⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

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