Samsung 750 EVO系列
Samsung 750 EVO系列

采用三星NAND，三星MGX控制器，容量提供120GB-500GB，读写速度分别达540MB/s、520MB/s。

三星 2015-12-01
Crucial BX200系列
Crucial BX200系列

BX200系列SSD是美光首款采用Micron 16nm 128Gb TLC NAND，采用慧荣SM2256 TLC控制芯片，容量240GB-960GB。

美光 2015-11-04
SK Hynix SL301系列
SK Hynix SL301系列

采用SK海力士TLC 16nm NAND Flash，SATAIII接口，仅提供2.5inch形态，容量有250GB/500GB，读速高达540MB/s

SK海力士 2015-10-19
innodisk Mini PCIeDOM 1ME3
innodisk Mini PCIeDOM 1ME3

采用MLC NAND，Mini PCI Express接口，提供16-256GB容量选择。

宜鼎国际 2015-10-12
Samsung 950 Pro系列
Samsung 950 Pro系列

容量提供256GB和512GB，采用三星V-NAND，自家UBX控制芯片，使用PCIe Gen3 .0 x4 接口并支持NVMe 标准。

三星 2015-09-23
Toshiba Q300 Pro系列
Toshiba Q300 Pro系列

提供128GB-512GB容量，采用东芝A19nm MLC，读取速度分别达550MB/s，520MB/s。

铠侠 2015-08-20
Toshiba XG3系列
Toshiba XG3系列

PCIe 3.x接口，最高容量可高达1TB，针对高性能笔记本，以及轻薄型电脑。

铠侠 2015-08-12
Toshiba BG1系列
Toshiba BG1系列

PCIe 2.0接口，容量提供128GB和256GB，针对轻薄型笔记本、二合一设备和平板电脑设计。

铠侠 2015-08-12
Adata Premier SP550系列
Adata Premier SP550系列

SP550系列提供2.5inch和M.2 2280两种形态，提供120GB-960GB容量，采用美光16nm TLC NAND和慧荣2256控制芯片

威刚 2015-08-07
SC300系列2.5inch SSD
SC300系列2.5inch SSD

采用SK海力士1xnm MLCNAND Flash，SATAIII接口，128GB~512GB容量，读速高达550MB/s，写速高达480MB/s

SK海力士 2015-07-31
Toshiba Q300系列
Toshiba Q300系列

提供120GB-960GB容量，采用东芝A19nm TLC，读取速度分别达550MB/s，530MB/s。

铠侠 2015-07-22
Samsung 650系列
Samsung 650系列

提供120GB容量，采用三星32层3D V-NAND，最大读写速度最大540MB/秒、450MB/秒。

三星 2015-07-22
Micron M510DC 系列
Micron M510DC 系列

基于16nm工艺，容量120GB-960GB，2.5英寸规格SATA6Gbps传输速度，增加加密功能，为企业及数据中心存储。

美光 2015-07-14
OCZ Trion 100系列
OCZ Trion 100系列

提供120GB-960GB容量，采用Toshiba TLC NAND，读写速度分别可达550MB/s、530MB/s，适用于笔记本和PC产品。

饥饿鲨 2015-07-10
Sandisk Z400s系列
Sandisk Z400s系列

提供32GB-256GB容量，SATAIII/M.2 2280/mSATA规格，均6Gbps接口速度，最高读写速度分别为549MB/s，330MB/s

闪迪 2015-05-26

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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