Micron ClearNAND Flash系列
Micron ClearNAND Flash系列

存储容量从8GB-32GB，采用MCP封装，能提供ECC容错、简单的数据传移及高速传输等特性。

美光 2013-07-16
Sandisk iSSD i100系列
Sandisk iSSD i100系列

具有嵌入式球栅阵列 (BGA) 外形，可提供 SSD 存储能力。拥有多种存储规格，创新的嵌入式外形以及具有竞争力

闪迪 2013-07-16
Sandisk SD系列
Sandisk SD系列

有4GB-64GB容量选择，最高可以容纳数千张照片，能录制长达数小时的高清视频(720p)。

闪迪 2013-07-16
至尊极速SDHC/SDXC UHS-I系列
至尊极速SDHC/SDXC UHS-I系列

有8GB-128GB容量选择，其读取速度高达80MB/s；写入速度60MB/s，可捕捉3D电影质量和全高清视频(1080p)。

闪迪 2013-07-16
Samsung 840 PRO系列
Samsung 840 PRO系列

840 PRO系列是840系列的升级版，提高了产品的写入速度，速度最高达520MB/秒，为顶级专业用户提供。

三星 2013-07-16
SSK魔蝶系列
SSK魔蝶系列

采用USB 3.0接口，存储容量为32GB和64GB，表面Logo均为激光镭射，区分于USB 2.0，易于识别。

大乘 2013-07-16
Sandisk X110系列
Sandisk X110系列

基于先进的19nm NAND，容量高达256GB,连续读写性能高达505/445MB/秒,为超级本、笔记本和台式机设计。

闪迪 2013-07-16
Micro SD EXCERIA TypeHD
Micro SD EXCERIA TypeHD

最高读写速度分别为95MB/s、30MB/s，容量从8GB-32GB不等，满足您高像素连续拍摄的需求。

铠侠 2013-07-11
Toshiba FlashAir系列
Toshiba FlashAir系列

存储容量为8GB-16GB具有无线数据传输功能，速度等级为Class 10，是存储卡的创新产品。

铠侠 2013-07-11
Kingston SD 系列
Kingston SD 系列

存储容量从4GB-64GB不等，速度等级分为Class 4和Class 10，供不同要求的用户存储需要。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler Locker+ G2
DataTraveler Locker+ G2

符合USB2.0规范，容量为8GB-32GB，具有硬件加密与密码保护的双重机制来自动保护所有数据，安全系数高。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler HyperX Predator
DataTraveler HyperX Predator

符合USB3.0规范，读/写速度分别高达240MB/s、160MB/s，512GB大容量存储，是客户选择的最佳产品。

金士顿 2013-07-10
Sandisk 酷轮USB系列
Sandisk 酷轮USB系列

采用USB 3.0接口，容量高达32GB，个性化设计，保护盖可 360 度旋转，保护USB接口在不使用时免受损坏。

闪迪 2013-07-10
Toshiba Micro SD UHS-I系列
Toshiba Micro SD UHS-I系列

存储容量从8GB到64GB，速度等级为Class 10，读取速度30MB/s，UHS速度等级Class1。

铠侠 2013-07-10
Transcend Micro SD Class 4系列
Transcend Micro SD Class 4系列

最高有32GB存储容量，提供每秒4MB以上的资料传输率，满足一般用户存储照片、音乐、视频等需求。

创见 2013-07-10

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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