Phison eMMC 4.41系列
Phison eMMC 4.41系列

采用4.41规范，容量2GB-32GB，广泛应用于智能型手机、相机、数字录像机、PDA等电子产品。

群联 2013-08-23
KINGMAX eMCP系列
KINGMAX eMCP系列

采用4.41规范，容量4GB-8GB，64KB数据读取速度大约20~40MB/s，写入速度达到9MB/s，适用于移动设备。

胜创 2013-08-23
KINGMAX eMMC系列
KINGMAX eMMC系列

采用4.41规范，容量4GB-32GB，64KB数据读取速度大约20~40MB/s，写入速度达到9MB/s，适用于移动设备。

胜创 2013-08-23
Samsung eMMC 4.5系列
Samsung eMMC 4.5系列

容量从16GB-128GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 4.5规范，适用于智能型手机和平板电脑等。

三星 2013-07-31
Samsung eMCP LPDDR 2系列
Samsung eMCP LPDDR 2系列

是一颗eMMC芯片加一颗低功耗的LPDDR 2，多种搭配方案满足不同需求的客户，用于中低端智能型手机上。

三星 2013-07-25
Samsung MCP LPDDR 2系列
Samsung MCP LPDDR 2系列

搭配方案NAND(512MB)+ MDDR 2(256MB/512MB)，采用 LPDDR 2，能实现高达1066Mbps的数据传输。

三星 2013-07-24
Samsung MCP LPDDR系列
Samsung MCP LPDDR系列

NAND(512MB-128MB)+ MDDR(512MB-32GB)，LPDDR能实现高达每秒400Mb的数据传输速率。

三星 2013-07-24
Micron MCP系列
Micron MCP系列

搭配方案为1Gb-4Gb NAND+512MB-4Gb LPDDR，体积小，占用空间少，最大限度地降低功耗。

美光 2013-07-20
Samsung eMMC 4.41系列
Samsung eMMC 4.41系列

容量从4GB-64GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 4.41规范，适于智能手机和平板等移动设备。

三星 2013-07-18
Sandisk iNAND Ultra系列
Sandisk iNAND Ultra系列

存储容量为4GB-64GB,读写最高速度达30MB/s、120MB/s，通用而小巧的设计，可满足手机、平板存储需求。

闪迪 2013-07-17
Sandisk iSSD i100系列
Sandisk iSSD i100系列

具有嵌入式球栅阵列 (BGA) 外形，可提供 SSD 存储能力。拥有多种存储规格，创新的嵌入式外形以及具有竞争力

闪迪 2013-07-16
Toshiba e·MMC 4.41系列
Toshiba e·MMC 4.41系列

符合eMMC V4.4/4.41标准规范，存储容量从4GB-64GB产品，主要用于平板电脑和智能型手机上。

铠侠 2013-07-16
Micron eMMC4.41系列
Micron eMMC4.41系列

存储容量2GB-64GB，符合eMMC 4.41规范，体积小，占用空间小，具有高速传输的特性。

美光 2013-07-16
Micron ClearNAND Flash系列
Micron ClearNAND Flash系列

存储容量从8GB-32GB，采用MCP封装，能提供ECC容错、简单的数据传移及高速传输等特性。

美光 2013-07-16
Toshiba SmartNAND系列
Toshiba SmartNAND系列

SmartNAND存储容量从4GB-64GB，集成了错误管理系统，具有卓越错误管理性能的存储解决方案。

铠侠 2013-07-16

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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