随着AI大模型参数量的不断膨胀，业界对HBM（高带宽内存）的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而，芯片越堆越高，随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日，三星电子用一项重磅研究给出了破局方案：其研究团队首次通过量化数据证实，在下一代HBM封装中采用的混合铜键合（HCB）技术，在热管理上全面优于传统的热压接合（TCB）。

据媒体报道，三星电子近期将约7.5万片晶圆（占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半）用于HBM4的生产，剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉，市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止，并将产能转移至HBM4的生产。

据外媒报道，三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案，到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初，三星计划将层数翻番，实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题，但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction（叠对校正）技术解决相关问题。

今日韩股低开低走，韩国创业板指KOSDAQ盘中一度大跌超5%，触发熔断机制，导致程序化交易暂停5分钟。在创业板熔断后不到一小时，由于KOSPI 200期货暴跌超过5%，主板KOSPI指数也触发了熔断机制，程序化交易再次暂停5分钟。截至发稿，三星电子股价跌近6%，SK海力士跌超6%。

据韩媒援引韩国芯片行业消息报道称，三星电子 HBM4 销售额已在业界率先突破 10 亿美元大关。该产品此前于 2026 年 2 月 12 日正式量产。三星 HBM4 基于 1cnm DRAM Die 和 4nm 逻辑 Base Die，采用 12Hi 堆叠，单堆栈容量 36GB。其引脚速率可达 13Gbps，堆栈总带宽达 3.3TB/s。

三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽，顺序读取速度高达10.8 GB/s，顺序写入速度高达9.5 GB/s，顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度，同时提高了能效并缩小了封装尺寸，可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0，容量最高可达1TB。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

SK海力士总市值22日超越三星电子（不包括优先股），成为韩国股市市值最高个股。由此，韩国股市“龙头”地位时隔25年零7个月易主。分析认为，主要是由于SK海力士股价涨幅远高于三星电子。当天，SK海力士股价猛涨5.82%，三星电子涨幅仅为0.71%。今年以来，三星电子股价上升197.7%，SK海力士股价则骤增341.9%。

据外媒报道，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

据业内人士透露，三星电子DS事业部在18日举行的战略会议上讨论了向各客户供应HBM3E以及下一代HBM4和HBM4E的计划。此外，还特别回顾了其针对大型科技公司的长期协议（LTA）战略，该战略自年初以来一直在实施。