南韩半导体大厂三星电子7日出席第7届三星行动解决方案年度论坛记者会时表示,三星半导体目前有记忆体、逻辑IC与代工3大事业,晶圆代工部分虽自2005年才开始跨入,但目前45奈米及32奈米已量产,2011年将导入28奈米高介电金属闸极(High-k Metal Gate,HKMG)技术,且会聚焦在低功耗及应用处理器(AP)市场。
三星在晶圆代工业被视为新势力,但近年来积极加快在晶圆代工领域的布局,三星表示,三星投资逾30亿美元(约新台币960亿元)于美国德州奥斯汀晶圆厂新增逻辑代工产线,并规划2011年开发量产28奈米HKMG制程,将与台积电、GF等晶圆代工大厂竞争。三星在2010年已瓜分了联电Xilinx 45奈米代工订单,又与台积电同时取得Xilinx 28奈米代工合约。