消息称三星计划将High-NA EUV技术应用于1nm工艺量产

半导体 2026-08-12 14:20

据韩媒报道,三星电子相关负责人表示,从技术上来看,高数值孔径极紫外光刻技术应用于2nm和1.4nm工艺的量产仍需改进,而该技术在1nm级的工艺将成为刚需,公司正与其他合作联合研发High-NA EUV技术。据悉,三星计划于2029年量产1.4nm(SF1.4)工艺,2030年开始量产SF1.4+(1.4nm工艺的改进版本)和1nm工艺。

简讯快报

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