长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目总投资额100亿元，一期建成后，可达年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。

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得一微电子致力于在存储控制、存算一体、存算互联等前沿领域保持技术领先地位，为数据中心、云计算、人工智能等领域提供更加高效、可靠的存储解决方案。公司自主掌握所有存储控制器的核心IP，正在利用AI技术实现对存储介质的智能化管理，提升数据的访问效率，并加大在计算存储领域的投入，推动存储芯片与计算技术的深度融合。

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日月光投控今年资本支出主要用于先进封装与先进测试，其中，53%用于封装、38%用于测试、1%为材料、8%为EMS。

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SK海力士此次实现了季度收入创历史新高，大幅超过在2022年第二季度实现的13.8110万亿韩元记录。营业利润也是继半导体超级繁荣期的2018年第二季度（5.5739万亿韩元）、第三季度（6.4724万亿韩元）之后时隔6年创下了5万亿韩元水平的业绩。

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按产品线分，该财季HDD营收17.27亿美元，环比增长17%，同比增长25%，系统、SSD及其他营收1.6亿美元，环比减少10%，同比减少27%。

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性能方面，9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s，连续写入速度为10.0 GB/s，与同类竞争SSD 相比，性能提升高达 67%。此外，其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%，400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。

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三星电子计划将平泽四厂（P4）转换为DRAM专用生产线，以应对通用DRAM的潜在供应短缺问题。

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随着对AI应用和数据中心的需求不断增长，预计闪存市场在中长期内将具有增长潜力。

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P310系列搭载美光232层3D QLC NAND，群联E27T主控，采用12nm工艺制造，四通道DRAM-less设计，顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。

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据韩媒报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。

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对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序，MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM，能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，传输速率可达8800 MT/s。

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三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度（如语音文本生成），而无需服务器或云访问。

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三星电子面临获得大型代工（Foundry）客户困难，决定调整投资速度，优先推进收益性较高的内存生产线建设。原计划的平泽园区四厂（P4）代工线开工被推迟，转而加快建设内存生产线。

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华天科技半年度业绩预告显示，预计2024年1-6月业绩大幅上升，归属于上市公司股东的净利润为1.90亿至2.30亿，净利润同比增长202.17%至265.78%。

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通富微电表示，2024年上半年半导体行业呈现复苏趋势，市场需求回暖，人工智能等技术及应用促进行业发展。公司产能利用率提升，营业收入增幅明显上升，特别是中高端产品营业收入明显增加。

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