东芝在岩手筹建Fab 7工厂，初期建设投资70亿日元

发布于：2017-12-21 来源：中国闪存市场

12月21日，东芝宣布在北上市（岩手县）将建造一个新的Fab工厂，约投资70亿日元（6173万美元）用于初期建设工作。东芝曾在2017年9月6日表示，TMC的第7座Fab工厂主要用于生产BiCS Flash。

SK海力士动作频频，研发96层3D NAND、扩增NAND产线等

发布于：2017-12-21 来源：中国闪存市场

据ET News与Newspim报道，SK海力士于20日理事会上决议于大陆设立晶圆代工厂事宜，子公司SK海力士系统IC(SK Hynix System IC)将与大陆厂商各出资一半，投资金额上看数千亿韩元，进一步扩展其代工业务。

美光强化台湾地区DRAM卓越制造中心

发布于：2017-12-21 来源：MoneyDJ

台湾美光半导体董事长Stephen Drake表示，美光与台湾之间长期合作，很荣幸获得表扬，公司会致力于持续发展存储产业的创新技术并强化台湾地区DRAM卓越制造中心之规划。

三星手机CTO辞职：将去伊拉克照料女儿

发布于：2017-12-21 来源：快科技

据韩国先驱报报道，三星移动部门CTO（首席技术官）Rhee In-jong宣布从公司辞职，已经生效，理由是自己需要发挥父爱，繁忙的工作导致他没时间关心女儿。Rhee在周二给员工的一份邮件中透露，女儿作为美军武装部队的...

三星宣布量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM

发布于：2017-12-20 来源：中国闪存市场

12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。

美光2018财年Q1财报：净利润26.8亿美元，同比暴涨14倍

发布于：2017-12-20 来源：中国闪存市场

12月19日，美光科技发布了截至2017年11月30日的2018财年Q1（9月-11月）财报：按照GAAP会计准则，Q1营收为68亿美元，同比增长71%，环比增长11%，净利润26.8亿美元，同比增长14倍，环比增长13.1%，每股平均收益2.19...

美光推MX500 SSD：采用64层3D TLC NAND

发布于：2017-12-20 来源：快科技

美光正式发布了旗下的Crucial MX500系列SSD，其最大的特色就是采用了64层3D TLC NAND，这是美光首次在消费类产品中采用这类闪存。

传三星明年强攻系统单芯片与晶圆代工

发布于：2017-12-18 来源：MoneyDJ

传三星新任设备解决方案部门总裁金奇南（Kim Ki-nam）已选定系统单芯片与晶圆代工作为发展主轴。

双镜头、DRAM成本拉高，三星Galaxy S9单价或创新高

发布于：2017-12-18 来源：DIGITIMES

传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件，因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。

东芝发声明称旗下FlashAir™存储卡存在安全漏洞

发布于：2017-12-18 来源：东芝

东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）发布告客户书，声明称FlashAir™ SDHC/SDXC存储卡已确定存在潜在的WPA2无线局域网协议安全漏洞。此漏洞与用于加密数据的密钥信息的生成和管理有关。