东芝存储器或将更名成KIOXIA，并筹1.3兆日元，加快上市进度

发布于：2019-04-04 来源：中国闪存市场

据日媒4月3日报道，东芝存储器公司（TMC）从三菱UFJ银行、日本三井住友银行和日本瑞穗银行等主要银行获得1兆日元的借款，日本政策投资银行(DBJ)还将投资3000亿日元，共筹集1.3兆日元（约117亿美元）。

雷克沙推出SL100 Pro便携式SSD：最大容量1TB

发布于：2019-04-04 来源：cnBeta

雷克沙（Lexar）发布了兼容Mac的专业级SL100 Pro便携式固态硬盘，特点是采用了USB 3.1 Gen 2的Type-C接口（非雷电 3）。

南亚科3月营收月增9.54%，Q2 DRAM价格跌幅缩小

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

南亚科公布3月营收37.19亿元（新台币，下同），止跌回温，月增率达9.54%，不过较去年同期则大跌44.68%。

金士顿Premier DDR4 2933获英特尔平台认证

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

金士顿宣布其32GB、16GB和8GB服务器Premier DDR4-2933已经在英特尔Purley平台上获得验证，该平台是英特尔至强处理器系列。

美光：下半年市场供需将好转，未来10-20年仍是存储产业好光景

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

2019年首季虽然DRAM与NAND Flash价格双双走跌，但相较于2018年大跌的行情已明显收敛，为了进一步改变市场供过于求的市况，美光下修资本支出以及减少Wafer晶圆产量，并预估2019下半年产业供需将好转，同时看好人工...

SK海力士无锡二期厂从4月全面投产，生产先进10nm级DRAM

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

据外媒报道，SK海力士扩建的中国无锡2号工厂将于本月全面投产，主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术，预估每月可生产18万片Wafer。

招募半导体专家，三星巩固DRAM/NAND Flash市场地位

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

三星电子招募汉阳大学电子工程宋永浩教授和伊利诺伊大学厄巴纳香槟分校（UIUC）计算机工程Kim Nam-seung教授加入半导体部门，以加强其下一代DRAM和NAND Flash技术。

英特尔推出QLC技术ruler SSD、800系列控制器等新品

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

英特尔在“以数据为中心的创新日”上推出全新数据中心解决方案组合，包括第二代英特尔至强可扩展处理器，英特尔Optane DC存储解决方案，以及优化的软件和平台技术，帮助客户优化针对云计算、网络基础设施和智能边...

英特尔任命George S. Davis为执行副总裁兼首席财务官

发布于：2019-04-03 来源：中国闪存市场

英特尔宣布任命George S. Davis为执行副总裁兼首席财务官（CFO），于4月3日生效。Davis将向英特尔首席执行官Bob Swan报告并监督英特尔全球财务组织，包括财务，会计和报告，税务，财务，内部审计和投资者关系。

TMC向东芝索要4500万美元赔偿，损失将计入东芝2018财报

发布于：2019-04-02 来源：中国闪存市场

根据股份购买协议的赔偿条款，东芝将向东芝存储公司（简称TMC）支付4500万美元（约合50亿日元）赔偿，这一损失将计入东芝2018财报。