三星发布DDR5模块用电源管理芯片：可提高性能，降低功耗

发布于：2021-05-18 来源：中国闪存市场

S2FPD01和S2FPD02为必须实时运行繁重的分析，机器和深度学习以及其他各种计算任务的数据中心和企业服务器提供了最佳性能：而FPD01专为低密度模块而设计；FPD02可实现更高的密度；S2FPC01专为台式机或笔记本电脑使...

三星推出三款用于DDR5内存模块的电源管理芯片

发布于：2021-05-18 来源：三星官网

三星电子宣布三款电源管理芯片，分别为：S2FPD01，S2FPD02，S2FPC01，能够最大限度提高DDR5模块性能，并最大程度降低功耗。

大基金拟减持长电科技不超过2%股份

发布于：2021-05-17 来源：网络

长电科技表示，在减持期间内，产业基金将根据市场情况、公司股价、自身需求等因素自主选择是否实施及如何实施减持计划，减持的数量和价格存在不确定性。

aigo推出首款搭载40nm“中国芯”的闪存盘

发布于：2021-05-17 来源：aigo

目前市面上闪存盘主控基本处于50-55nm的制程，40nm还是第一次在闪存控制器上使用，制程的提升使得产品的功耗降低，读写速度也和国际大厂的闪存盘不相上下。

换帅？消息称陈南翔将出任长江存储执行董事长

发布于：2021-05-14 来源：网络

媒体报道称，陈南翔将出任长江存储执行董事长。

投资额1514亿美元，三星在此领域“野心勃勃”，且又一新工厂明年竣工

发布于：2021-05-13 来源：中国闪存市场

三星宣布已经在平泽新建新的产线，将于2022年下半年完工，将采用EUV设备，批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。

Kioxia宣布扩建横滨技术园区和新研究中心，2023年投入运营

发布于：2021-05-13 来源：中国闪存市场

新光子高级研究中心将设有一个洁净室，该洁净室将用于广泛的研究，特别侧重于材料和新工艺。

三星发布首款支持CXL存储模块，与DDR5技术集成，容量可扩展至TB级

发布于：2021-05-11 来源：中国闪存市场

三星电子宣布业内首款支持Compute Express Link（CXL）互连标准的存储模块，该模块与三星的DDR5技术集成，使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽，加速数据中心的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载。

群联：持续拉升库存水位，奇亚币将使Q3 NAND供给更吃紧

发布于：2021-05-11 来源：网络

群联原先预期，受到长短料因素影响，NAND Flash 市况可能趋缓。不过，潘健成表示，近期市场为之疯狂的奇亚币，将使第三季 NAND 供给更吃紧，许多原厂已调升第三季价格至少 1 成起跳，在 Flash 需求转强下，成本也...

南亚科技：Q3试产10nm DRAM第二代产品

发布于：2021-05-11 来源：网络

制程技术的推进带来很多新产品的机会，如DDR5或LPDDR5，另外则是成本上的好处。