三星电子正在由其先进封装(AVP)部门主导开发“3.3D先进半导体封装技术”。目标是2026年第二季度量产,应用于AI半导体芯片。

随着光刻机成本的不断攀升,设备成本已成为先进制程代工厂规划未来工艺时的关键考虑因素。

消息称台积电计划在全台湾地区建设至少八个基于2纳米工艺节点的半导体代工工厂,并计划于明年开始量产。

在生成式AI应用程序ChatGPT发布后,英伟达芯片需求大幅成长,同时也引发多个国家的监管审查。

受惠日圆走贬、中国需求大增,带动日厂电子零件出货额续扬、创2年半来最大增幅。

过去随着半导体先进制程的推进以及制程微缩,die size缩小,wafer用量减少,但现在由于封装变立体,结构变化,wafer数量提升,可见AI的发展趋势有利于wafer量的提升。

韩国6月半导体出口额为134.2亿美元,创历史新高,已连续8个月保持增势。韩国工信部将涨幅归因于存储芯片价格上涨,以及云计算和人工智能领域的强劲需求。

TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略,这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化,以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元(GPU)和高速内存等技术的看好。

武汉全球投资促进大会上宣布,武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金,专注于集成电路等重点产业,旨在3至5年内吸引3000亿元投资,推动产业升级和区域经济发展。

据韩媒报道,韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元(约合2亿美元),该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。

据韩媒报道,三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元(约合36亿美元),为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。

美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉,HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中,并发布具有浸入式冷却保证的产品。

韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元(约合2亿美元)用于半导体封装技术研发项目,目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。

轨道设备用于芯片生产的光刻工艺,其中光刻胶沉积在晶圆上,当暴露在光线下时,光刻胶就会被绘制成电路图案。

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