中国地区的交付量在增加，与此同时其他地区在减少，中国市场所占的份额相对出现上升。所有的设备发运都符合出口管制规定。
粘合工艺是 HBM 的关键制造步骤，预计将会出现激烈的竞争。
根据最新的规则，英伟达包括A800和H800在内的芯片对华出口都将受到影响。新规将在向公众征求30天意见后生效。这些限制还将影响AMD和英特尔等公司向中国销售的芯片，包括应用材料公司、泛林集团和KLA等芯片设备厂商也受牵连。
从中长期角度来看，这些出口管制措施可能会影响到我们不同的机台销售量在各区域间的配比，但我们预计这些措施不会对公司2023年的财务情况以及我们在2022年11月投资者日公布的2025年和2030年的长期展望产生重大影响。
CXL 是一种新颖的接口，旨在更有效地利用计算系统中的中央处理单元 (CPU)、内存、图形处理单元 (GPU)、存储设备等。SK海力士公布的实证结果表明，通过使用下一代CXL内存，可以将数据处理能力提高40%以上。
在即将到来的10nm以下DRAM和1000层NAND时代，新结构和材料的创新非常重要。对于 DRAM，三星正在研究和开发 3D 堆叠结构和新材料，对于NAND，正在增加级数，同时降低高度并最大限度地减少单元之间的干扰。
2023年1-8月期间日本PCB产量较去年同期减少14.3%至651.4万平方公尺、产额减少16.6%至3,871.07亿日圆。
台积电原先规划在龙潭园区三期兴建1.4nm制程的晶圆厂，原先预定2026年开始建厂，规划在2027～2028年之间进入量产。
群联电子执行长潘健成表示，群联是目前全球市场上唯一能同时提供PCIe 5.0 Redriver、Retimer以及企业级SSD的全方位高速传输与存储方案供货商；不仅产品线最完整，能通过群联累积超过23年的研发经验，协助全球的服务器与高速运算系统客户进行系统整合以及兼容性的验证测试，更重要的是，群联能提供各种客制化的系统加值设计服务，与客户共同打造具有差异化的高附加价值系统产品，摆脱『Me Too』的价格竞争市场。
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据韩媒报道，有预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合技术，以提高DRAM的集成度，量产64Gb以上的DRAM产品。
三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备，新机器预计将在今年年底交付。
美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，采用美光232层3D NAND，随机写入性能比竞争对手的硬盘高出242%。
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引述消息人士说法，三星正考虑自第4季起增产DDR5，并规划持续减产DDR4通用产品、NAND Flash成熟制程产品。
据韩国科学技术信息通信部16日公布的数据，9月韩国信息通信技术（ICT）出口额180.6亿美元，同比减少13.4%，已连续15个月呈降势，但降幅收窄至年内最低纪录。
在 2021 年 1 月的财务业绩电话会议上，三星电子表示：“我们将在未来三年内进行有意义的并购。” 然而，距离目标或时间表仅剩四个月了，还没有任何消息或更新。
SK海力士：年度和季度业绩均创历史新高，HBM4已量产
供不应求局面难有改观令NAND资源成本高企，行业、渠道及嵌入式成品价格继续上攻
上游NAND价格持续上涨令存储厂商加大成本管控力度，多数成品端价格向上突破前高
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主