当地时间4月1日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅0.48%，收于46565.74点；标普500指数上涨0.72%，收于6575.32点；纳斯达克综合指数上涨1.16%，收于21840.95点。其中，大型科技股表现分化，谷歌A、AMD涨超3%，谷歌C涨超2%，亚马逊涨超1%，英伟达涨0.77%，苹果涨0.73%，微软跌0.22%，高通跌超1%；存储板块继续走强，西部数据涨超10%，闪迪涨超9%，美光涨超8%，希捷涨8%。
韩国产业通商部最新数据显示，3月韩国出口额为861.3亿美元，创下单月最高纪录，同比增加48.3%，是自1988年8月以来的最强劲增速。单月出口自去年6月以来连续10个月刷新最高纪录。3月韩国出口大幅增长主要归功于半导体，受益于内存芯片价格上涨以及人工智能投资对芯片需求的增加。3月半导体出口额同比猛增151.4%，首次突破300亿美元关口，为328.3亿美元。
树莓派官宣，在Raspberry Pi 4/5两代硬件平台使用的LPDDR4内存价格相较一年前上涨7倍的背景下，公司不得不再次调整产品定价以将部分成本转嫁给用户。本次价格调整幅度在11.25-150 美元区间，其中涨价最为严重的Raspberry Pi 500+键盘电脑的unit only版本。为优化成本结构，树莓派新增Pi 4 3GB内存版本，售价83.75美元，使Pi 4内存配置扩展至1GB/2GB/3GB/4GB/8GB五档。调整即日起生效。
据媒体报道，传音旗下手机品牌Tecno正在研发Camon Slim超薄手机，目前该机已现身GeekBench跑分库，并通过欧洲经济共同体（EEC）认证。根据欧亚经济委员会的认证文件，传音Tecno Camon Slim超薄手机型号为“CN6”，支持5G网络连接，并运行安卓16系统。根据Geekbench跑分库披露的测试数据，该机配备联发科天玑7100处理器，配合8GB运行内存。
中国台湾地区经济部门投资审议会核准台积电在日控股子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂 (Fab23 P2) 从原定的6nm制程工艺升级至3nm制程工艺。该厂月产能15000片12英寸晶圆，预计2028年设备安装设定并开始量产。同时核准台积电向TSMC GLOBAL LTD. 增资300亿美元，用于投资银行定期存款与美元债券以赚取利息、降低外汇避险成本。
德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。
3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。
当地时间3月31日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅为2.49%，报46341.51点；标普500指数涨幅为2.91%，报6528.52点；纳斯达克综合指数涨幅为3.83%，报21590.63点。其中，大型科技股普遍收涨，英伟达、谷歌A、谷歌C均涨超5%，亚马逊、微软、AMD涨超3%，苹果涨超2%，高通涨超1%；存储板块走强，闪迪涨超10%，希捷涨超8%，西部数据涨超7%，美光涨超4%。
近日，微分智飞完成数亿元A1轮融资，由华控基金领投，联想创投、央视基金等新股东参投，光合创投、五源资本、东方富海等老股东持续加码。本轮资金将用于产品研发、技术迭代、人才引进及场景拓展。
微分智飞专注飞行具身智能领域，打造飞行机器人“智能大脑”与通用群体智能系统。公司已推出P300 PRO自主探索飞行机器人及科教产品“非凸α”，并在矿业、林业、电力、市政及应急救援等场景实现落地应用。
中兴通讯近日正式发布基于Co-Claw企业级AI智能体平台的智慧园区应用解决方案，并率先在南京滨江智能制造基地落地应用。
据悉，该解决方案以Co-Claw企业级AI智能体平台为核心支撑，聚焦园区全场景智能化升级，涵盖产线物流、园区安防、能耗管理等核心场景，构建“全域感知-智能预判-协同联动-闭环管理”的智能化治理体系，兼顾高效运营与安全可控。此次方案落地将进一步推动智能制造与智慧园区深度融合，助力企业实现园区管理数字化、智能化转型。
3 月 31 日，阿里巴巴通义实验室正式宣布，开源个人 AI 智能助理CoPaw（Co Personal Agent Workstation）1.0 版本全新上线。本次升级联合100 多位开源社区贡献者共同完成，聚焦定制小模型、安全机制、多智能体协同、记忆管理四大核心方向，全面强化产品综合能力。
OPPO官方今天在微博发文，公布K15 Pro+手机的详细参数。这款手机配备联发科天玑9500s芯片和OPPO潮汐引擎，搭配“芯片级性能调校”。同时，该机搭载6.78英寸1.5K 165Hz高分高刷屏，具备超感触控芯片+灵犀按键+专业手柄级陀螺仪等外围配置，号称“游戏快人两步”。OPPO K15 Pro+还拥有超感临场双扬声器，四发声单元同轴对称分布。
根据上交所最新披露的信息，2026年3月31日，长鑫科技集团股份有限公司IPO的状态从已受理变更为中止。
兆易创新近日发布公告，公司及控股子公司2026年度拟向长鑫科技集团股份有限公司及其控股子公司（含长鑫存储技术、长鑫科技（合肥）等）采购代工生产的DRAM相关产品，预计交易额度为8.25亿美元，折合人民币约57.11亿元。此举标志着双方在DRAM领域的战略合作进一步深化。
据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。
阿里千问宣布全模态大模型Qwen3.5-Omni上线，包含Plus、Flash、Light三种尺寸的Instruct版本。模型支持256k长上下文、超10小时的音频输入及超过400秒的720P(1FPS)音视频输入。模型在海量文本、视觉以及超过1亿小时的音视频数据上进行原生多模态预训练，展现出卓越的全模态感知与生成能力。相比Qwen3-Omni，Qwen3.5-Omni多语言能力明显增强，能够支持113种语种和方言的语音识别和36种语种和方言的语音生成，并新增了语义打断、音色克隆、语音控制等实时交互能力，让对话体验更接近真人。
3月30日晚间，兆易创新发布2025年年度报告。报告期内，公司实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归属于上市公司股东的净利润16.48亿元，同比增长49.47%。公司营业收入实现稳健增长，主要得益于行业格局优化、公司战略稳步落地及技术较快迭代形成的多重协同效应。分产品看，存储芯片营收同比增长26.41%，毛利率同比增加2.57个百分点至42.84%；微控制器营收同比增长12.98%，毛利率减少0.92个百分点；传感器营收同比减少13.15%，毛利率增加3.11个百分点；模拟产品营收同比增长2051.82%，毛利率同比增长26.43个百分点至36.96%。模拟产品收入、毛利率大幅增长主要是公司于2024年底前收购的苏州赛芯的模拟芯片销量增加影响。
当地时间3月30日，美股三大股指涨跌不一。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅为0.11%，报45216.14点；标普500指数跌幅为0.39%，报6343.73点；纳斯达克综合指数跌幅为0.73%，报20794.64点。其中，大型科技股多数下跌，AMD跌超2%，英伟达跌超1%，苹果跌0.87%，谷歌A、谷歌C分别跌0.31%、0.23%，高通跌0.03%，亚马逊、微软分别涨0.81%、0.61%；存储板块受挫，美光跌超9%，西部数据跌超8%，闪迪跌超7%，希捷跌超4%。
3 月 27 日，江波龙在MemoryS 2026峰会上发布两大存储新品，布局端侧 AI 存储。
PCIe Gen5 mSSD采用联芸 MAP1802 主控，DRAM-less 设计，尺寸 20mm×30mm，兼容 M.2 2230，顺序读写最高11GB/s、10GB/s，单盘8TB，配五层立体散热。
SPU（WM8500）为 5nm 智能存储专用单元，支持 DRAM-less 架构，单盘128TB，集成2:1 存内无损压缩与 HLC 高级缓存，搭配 iSA 存储智能体，优化 AI 模型部署效率。
近期，中微公司推出四款覆盖硅基及化合物领域的半导体制造设备。其中，两款刻蚀设备与存储芯片制造直接相关。
新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™，面向先进节点高深宽比刻蚀需求，可为5纳米及以下逻辑芯片以及同等技术难度的先进存储芯片制造，提供自主可控的ICP刻蚀工艺解决方案。
高选择性刻蚀机Primo Domingo™，针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求推出，攻克了高选择比刻蚀难题，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
受贸易抛盘影响低端资源承压，渠道低容量DDR4内存条价格下跌逾20%，行业及嵌入式价格维持不变
