但SK海力士也表示,虽然3D DRAM潜力巨大,但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出,与2D DRAM的稳定运行不同,3D DRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。
新款SN5000 500GB - 2TB型号使用与SN580相同的 BiCS5 TLC NAND,4TB使用的是BiCS6 QLC NAND。
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目前,AMD已经赢得了超过100家企业的支持,包括微软、Facebook的母公司Meta Platforms、甲骨文等。AMD还成功地运行了拥有高达1万亿参数的ChatGPT最新人工智能模型。
因原厂HBM产能持续满载,在产能排挤效应下,上游针对DDR5仍将持续涨价;创见认为,下半年DRAM约还有10~15%调涨空间。
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考虑到西部数据对资本支出和投资回报的看法,可理解为其可能不愿意加入铠侠在2027年前实现达到 1,000层所需的多个层级跃升。西部数据希望减缓层级增长率,而不是维持或增加它。
韩国6月1-2月半导体出口额同比增长50.2%。以单月为准,半导体出口额自去年11月以来持续实现两位数增长。
Intel 3目前仅用来生产Xeon 6处理器,但Intel Foundry最终将会运用这项制程为客户代工数据中心等级的处理器。
台积电正在研究一种创新的芯片封装方法,该方法采用矩形基板代替传统的圆形晶圆,旨在减少边缘未使用的面积,从而在每个晶圆上放置更多芯片。这项技术目前处于早期阶段,但有望显著提升芯片产量和封装效率。
佰维存储秉承“Infinite Storage, Unlimited Solutions”的服务理念,紧密贴合终端行业的发展趋势及存储需求,持续拓展存储技术创新与应用边界,致力于为客户提供更加精准、高效的存储解决方案。
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普冉股份表示,2024年以来,随着下游市场的景气度逐渐复苏,产品出货量及营收同比均有较大幅度提升,1-5月出货量累计约35亿颗,较去年同期翻番。目前在手订单 1.7亿元左右(含税)。
据外媒报道,台积电已获得英特尔的3nm制程代工订单,用于生产酷睿Ultra 200系列处理器,包括Lunar Lake和Arrow Lake系列。这一决策体现了英特尔对台积电先进制程技术的信任,同时也引发了市场对其自家代工业务的关注。
尽管三星电子在3nm制程工艺上率先量产,但台积电凭借其高良品率和能效优势,赢得了包括苹果、英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科和谷歌在内的七家公司的青睐,这些公司优先采用台积电的3nm制程工艺进行芯片生产。
根据日经亚洲报道,美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存(HBM)产线,以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%,与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
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三星电子内存半导体部门负责人在近期的全员会议上预告了下半年的组织重组计划,旨在加强协同效应和精简化,提高公司的竞争力和市场响应速度。
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