4月22日消息,韩国电子公司三星宣布,因英特尔推出5500系列Xeon伺服器处理器,刺激需求增长,公司决定增加50奈米制程技术的DDR3 DRAM之产能。

采用先进工艺并改进存储单元的布局,使DRAM成本每年下降30%(一):双管齐下

受全球记忆体晶片产量削减,供过于求状况缓和影响,日本最大记忆体晶片厂商尔必达计划提高晶片价格50%,争取6月实现盈亏平衡。

根据最新公布的4月下旬DRAM合约价,平均上涨6%-12%,是今年第二次调涨,显示下游需求似有增温迹象

台湾年度固态式硬碟(SSD)评测结果揭晓,OCZ、威刚科技(3260-TW)、创见资讯(2451-TW)、劲永国际(6145-TW)、华东承启(2425-TW)、金胜电子等多家台厂入榜

4 月下旬 DRAM 合约价今 (21) 日出炉,4 月下旬合约价格成功调涨约 7-13%

DRAM现货价守稳在1.1美元,本月下旬合约价成功调涨,涨幅在8.64%~12.77%。在NAND FLASH方面,因全球第二大厂东芝持续减产,预计第二季NAND FLASH仍有上涨空间

传固态硬碟控制IC已进入客户端送样阶段 将与群联、慧荣正面交锋 联发科否认

固态硬碟(SSD)后市颇被市场看好,全球半导体业龙头英特尔预期,接下来三年储存产业有40%至50%的成长潜力,会有此强劲力道,储存技术提高及SSD是最大的推升力道。

南韩三星今年仍稳居全球市占率龙头宝座,而与台湾有合作关系的美光(Micron)与海力士 (Hynix),在海力士大幅减产下,美光与英特尔的排名将上升,分居三、四名,海力士则下滑至第五名。

4月下旬动态随机存取记忆体 (DRAM)1GB模组合约均价攀升至9美元,上涨5.9%

台股早盘开高量缩压回,DRAM股同步走跌;上周五宣布减资66%的南科(2408),以及茂德(5387)由于迟未获得增贷银行拨款

随着产品价格高涨后,市场买气趋于观望,动态随机存取记忆体(DRAM)与储存型快闪记忆体 (NAND Flash)现货价同步回档

DRAM现货价格连续二天大涨,继前一天大涨7%之后,昨(16)日现货价格又大涨超过6%,主流规格报价达每颗1.2美元

储存型快闪记忆体(NAND Flash)现货价高涨,有利记忆体模组获利表现,激励创见等记忆体模组厂股价连袂大涨,创波段新高。

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