研究机构针对NAND Flash(储存型快闪记忆体)产业发表最新研究报告指出,估计南韩三星今年仍稳居全球市占率龙头宝座,而与台湾有合作关系的美光(Micron)与海力士 (Hynix),在海力士大幅减产下,美光与英特尔的排名将上升,分居三、四名,海力士则下滑至第五名。
根据各NAND Flash供应商目前的制程技术、产能、营运状况分析指出,三星因为拥有较大产能和制程持续转往42奈米及3x奈米,预期今年市占率可冲破40%以上居冠,日本东芝(Toshiba)与美商新帝 (SanDisk)联盟的产能利用率略降,但制程技术也将转往43奈米及32奈米,预期东芝今年的市占率约在30%以上居次。
市占率第三和第四名预期为美国的美光和英特尔,由于制程技术大量地转向34奈米,预计这两家公司今年的市占率提升至10%以上,而去年市占率第三的海力士,则因为去年大幅减产8吋产能,且今年的制程技术仍以4x奈米为主,因此估计市占率预期会在10%,排名下滑至第五名。
由于去年NAND Flash面临供过于求,价格下滑的窘境,厂商纷纷宣部淘汰部份8吋产能,暂缓扩充12吋厂,或进行年度的岁修,目前各厂商均加速淘汰八吋厂产能,在十二吋厂方面,三星暂无增产计划,预计东芝及新帝阵营也维持保守态度。
英特尔和美光两家公司合资成立的IM Flash Technologies(简称IMFT)方面,估计今年维持12吋厂产能不变,制程技术升级可望使产出成长,IMFT在新加坡的12吋厂将延至2010年再决定是否运作,海力士今年只有少量12吋厂产能生产高容量MLC产品,因为近期财务资金较吃紧,目前还没有计划新增晶圆产能。

