东芝宣布,于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中,全球首颗32nm工艺32Gb(4GB)NAND单芯片样品即日起出货

4 月下旬主流 MLC NAND Flash (储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期 5 月上旬主流的 NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

本季是NAND Flash传统淡季,但在供给面无显著增加下,价格仍可维持稳定走势,明年更可能出现缺货。

华邦本季生产线已回复满载运作,营运会较首季改善,若标准型DRAM价格回到1.5美元,就可转盈。

财务处协理黄求己表示,第 2 季因中国消费性电子市场仍旺,快闪记忆体营收可望成长 2-3 成

华邦电 (2344-TW) 今 (28) 日举行线上法说会,针对今年 DRAM 价格能否在第 3 季回到现金成本之上

日本记忆体晶片大厂尔必达(Elpida)预期2008会计年度亏损恐扩大,引发台股记忆体族群财报疑虑,28日DRAM族群全面重挫,力晶(5346)、华邦电(2344)等都重挫至跌停板。

华邦电(2344)今天下午举行线上法说会,公布第一季营运结果。第一季该公司在提列库存跌价损失、处分投资亏损

记忆体模组厂创见(2451)、威刚(3260)首季获利大回升,创见单季每股获利2.3元,28日股价开盘跳空涨停;市场预期,威刚首季每股获利1.5元,盘中股价亦攻顶亮灯。

在记忆体市场供过于求和需求锐减的双重打压下,日本最大电脑记忆体制造商尔必达(Elpida)和全球半导体测试设备龙头爱德万测试(Advantest),双双写下历来最大的年度亏损。

南韩DRAM厂三星电子半导体事业部、海力士(Hynix)首季相继缴出钜额亏损财报,三星半导体事业部大亏163亿元,海力士更钜亏300亿元之上

模组大厂创见(2451)首季自结财报出炉,挟库存回冲收益大增及汇兑收益题材,首季税后纯益9.08亿元,较上季成长近45%,单季每股纯益2.3元。

DRAM 法说会本周登场,尽管 DRAM 价见反弹,但也仅触抵现金成本位置,加上第 1 季减产幅度仍见扩大,预期亏损幅度难见缩减

内存芯片的景气循环似乎已触底。对空前衰退的半导体产业而言,堪称景气回春的关键讯号。

奇梦达(Qimonda)北美分公司正式公开出售其位于美国维吉尼亚州 Sandston 的制造中心

简讯快报

更多