中国市场需求拉动 快闪记忆体Q2季成长2-3成

存储器 中国闪存市场 2009-04-29 09:48

华邦电 (2344-TW) 今 (28) 日举行线上法说会,财务处协理黄求己表示,第 2 季因中国消费性电子市场仍旺,快闪记忆体营收可望成长 2-3 成,而利基型记忆体急单效应可望持续,单季成长预估 2 位数,尽管行动记忆体方面较为保守,第 2 季仍显得审慎乐观。
 
受到奇梦达 (Qimonda;QI-US) 破产影响,华邦电第 1 季不仅一次提列高额坏帐损失,标准型DRAM 出货同时大受影响。不过,财务处协理黄求己表示, 3 月已完成标准型 DRAM 自行销售管道,第 2 季标准型出货将明显增加,可望回复往日水准,平均售价方面也有往上走的趋势,加上 65 奈米制程开始正常出货,预期成本将进一步降低。

因第 1 季标准型 DRAM 出货减少,单季产品比重也因此大幅下滑至 19% ,利基型记忆体单季出货成长 17% ,产品比重大幅提高为 40% ,而快闪记忆体单季业绩也成长 22% ,比重提高至约 19% ,已取代标准型 DRAM 成为华邦电产品主力。

黄求己指出,利基型产品主要受惠大陆市场急单,第 2 季急单效应可望持续,而快闪记忆体也因中国市场强劲,单季都有较明显成长。至于行动记忆体,则因行动通讯市场需求仍然疲弱,展望保守,高端 IC 供货上不会有成长。

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