华邦电持续聚焦利基型 DRAM 和 NOR Flash (闪存) 等产品,希望填满 12 吋厂产能,让标准型 DRAM 比重降到零
韩三星电子和海力士两大内存制造商获得了国外大型PC制造商的订货合同。今年4至5月份的内存交易价格分别上涨10%和20%,预计6月份内存价格涨幅也将在7-10%左右
美光科技股份有限公司(纽约证券交易所:MU)今日推出一系列新的低电压、高频宽DDR3记忆体模组,使笔记型电脑现在能够充分利用最佳化的电池寿命和可携性。
今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格(ASP)反弹,使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望,但却可能对固态硬盘(SSD)在主流PC市场的普及带来负面影响
全球闪存卡市场2008年总收入78亿美元,相比上一年度减少了15%之多。SD标准系列存储卡年出货量合计7亿个,其中SD卡约有2.7亿个,MicroSD/TF卡多达3.97亿个
76岁的IBM研究人员登纳德1960年代末发明的DRAM记忆体晶片,将于下周四获得IEEE颁发的荣誉勋章。
华亚科技(3474)董事会今天决议办理6.4亿至8亿股的现金增资参 与发行海外存托凭证(GDR),暂订每股新台币14.5元发行,用以支应制程技术转换资金需求。
三星及海力士计画本月底调涨DRAM晶片合约价格。这两间公司正与个人电脑制造商进行协商,已决定于本月稍后,将DRAM产品价格较前季略为调升
相关消息人士透露,海力士 将持续调涨 DRAM 晶片合约价格,至少至今年第 3 季。全球 NAND 快闪记忆体晶片市场,也将于今年第 3 或第 4 季出现短缺情况。
在“2009 Symposium on VLSI Circuits”的Session 8“Special Non-Volatile Memories”上,4款与NAND闪存采用不同材料的非易失性内存亮相,这就是东京大学等开发的NAND连接型强介电体内存、东
NAND Flash的市场需求近期并未转强,先前通路商回补库存效应已告一段落,在季底淡季效应下,业界看淡近期Flash价格走势,预期短期价格波动不大,但偏向下滑。
力晶(5346)明将打入全额交割股,目前台湾4家DRAM大厂,继茂德 (5387)、南科 (2408)后,都已是全额交割成员,只剩台塑集团旗下的华亚科 (3474)还维持正常交易
华亚科(3474)总经理高启全昨(18)日表示,DRAM合约市场陆续回温,1Gb DDR2价格应还有上扬空间,华亚科也正逐步导入美光(Micron)50奈米制程技术,生产2Gb DDR3产品,以目前的售价与成本结构来看,华亚科DDR3晶片是赚钱的产品
力晶自19日起改列全额交割股,确定继茂德(5387-TW)、南科(2408-TW)后,打入全额交割。台湾5家上市柜DRAM公司已有超过半数可能陷入全额交割的困境
力晶(5346-TW)近1.58亿美元海外可转换公司债未确定获得全部ECB持有人同意邀约,柜买中心昨晚公告,力晶自6月19日改列全额交割。