NAND Flash产品终端需求不弱,但再度传出快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)日前查缉未授权记忆卡的动作,已蔓延到香港海关,担心快闪记忆卡价格受到波及;惟存储器模块厂19日表示,2009年以来,两大NAND Flash大厂三星电子(Samsung E
8月下旬DRAM合约价格持续小涨,现货价格也在19日正式站上1.5美元,上游DRAM厂的亏损金额持续缩小当中,惟DRAM厂和模块厂同步表示,现货价格虽然涨上来,但其实买气相当疲弱,合约PC客户过来的订单相对强劲,模块厂在6、7月受惠现货价格较合约价低很多,
台湾资策会MIC表示,2009年上半年台湾DRAM产业,受到减产及惜售效应影响,DRAM出货量320.8万片(8寸约当晶圆),较2008年下半年衰退45%。
旺季需求效应显现,加上制造商减产持续,DRAM 现货价格终于在今天成功站上 1.5 美元指标价位,据今 (19) 日收盘报价显示,DDR2 1Gb 测试颗粒 (e TT) 平均来到 1.51 美元,午盘均价更来到 1.53 美元,不仅再写今年新高价,也回到
DRAM厂期待已久的1.5美元成本价,今天上午正式达阵,DDR2 1Gb eTT现货报价上涨1.74%,达每颗1.52美元,而DDR3 1Gb也上涨0.49%,顺利站上2美元,由于DRAM现货价自去年第三季起跌破1.5美元的成本价,造成业者亏损失血不止,今
8月18日消息,日前有来自IC市场的消息人士透露,面对iPhone可能在中国市场上大举进发的局势,一些白牌手机制造商正准备在今年第三季度中推出带16GB NAND闪存芯片的智能手机产品,而其中某些机型会提供与iPhone相类似的功能。
时序步入传统旺季,动态随机存取记忆体(DRAM)现货价持续走扬,DDR2 1Gb eTT均价已攀升至1.52美元,创下11个多月来新高,有助于DRAM厂亏损进一步缩小。 继DDR3 1Gb现货价突破2美元关卡,飙涨近4成后,DDR2 1Gb产品现货价也展
南韩综合股价指数19日受美股收高的激励而以1,555.03点高盘开出后,由DRAM芯片双雄,汽车类股领军走高。根据嘉实学琴全球赢家系统报价,截至台北时间19日上午11时3分为止, KOSPI指数上涨0.36 % ( 5.55点) ,报1,555.79点。综
因旺季需求效应以及产能排挤,DDR2持续涨势,今上午1GB DDR2正式站上1.5美元,超过厂商现金成本价。 DDR2 1Gb 800MHz今早上涨1.72%,价格收在1.53美元,盘中最高达1.6美元,已超越台系厂商的现金成本价,有助现金流入,改善财务
据外电报导,记忆体模组大厂新帝( SanDisk公司)创办人与执行长礼哈拉里近期于一场会议中表示, NAND快闪记忆体产业现有市场的供需状况已在改善,可以预见产业在严重下挫后可望逐渐复苏。
上周,一些厂商在Santa Clara举办的Flash Memory Summit大会上进行了新产品的发布或者预发布。
在日前的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,人们普遍对该产业的前途感到悲观。 有人说,NAND供应商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬碟(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,还包括了一个普遍的认
台系DRAM厂2008年受到DRAM价格骤降的影响,每天开门做生意平均亏蒸发新台币1亿元,2008年10月力晶带头宣布减产,引发尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)、南亚科、华亚科和茂德等跟进,在产出减少的情况下,上下游产业链的库存经过1~2季的消
拓墣产业研究所(TRI)表示,2009年因各NAND Flash大厂产能竞争结束、价格大幅反弹及厂商开始获利等重大变化,将2008年预估2009年NND Flash产值116亿美元(年减11.6%)的预估值,向上调整为127亿美元(年减3.2%)。
DDR2现货价11个月来首度升抵1.48美元 因库存调整以及德国奇梦达(Qimonda)中断生产令DDR2 DRAM供需平衡获得改善而一度出现供货短缺现象、加上三星电子(Samsung Electronics)及尔必达(Elpida)等DRAM大厂今