据外电报导,记忆体模组大厂新帝( SanDisk公司)创办人与执行长礼哈拉里近期于一场会议中表示, NAND快闪记忆体产业现有市场的供需状况已在改善,可以预见产业在严重下挫后可望逐渐复苏。
哈拉里表示, NAND闪存自2005年至2009年的年间平均售价以每年下跌约60 %之速度下滑,不过随近期大厂对于产能扩充态度转趋谨慎,预测2010年至2013年年间平均售价下跌速度会趋缓,平均每年约下跌40 % 。
在产品设计方面,哈拉里表示,多位产品将成主轴,目前市场以2位每单元元件为主流产品,但预期在2009年至2015年年度之间,3 -位每单元(的X3 )与4位每单元(内建X4 )产品将更盛行。
而随的X3是X4产品的出现, NAND快闪记忆体效能的关键将在于控制器(控制器) ,它可以管理各种应用之NAND型运算,也就是未来市场将从离散型NAND型发展到管理型NAND闪存。
此外,哈拉里认为, NAND闪存芯片仍是目前唯一可以大量普及的记忆体技术;短期内除了NAND闪存之外,还不会有其他替代性的记忆体技术出现,包括了FRAM , MRAM技术,相变等都还不能证明能够竞争。不过三维则有可能在未来的记忆体技术竞赛中胜出;目前SanDisk公司与东芝公司正在开发的三维相关技术如果在材料上有所突破,将有潜力取代NAND闪存。
最后,哈拉里认为,由于资本投资过于高昂,未来的NAND厂不可能从十二吋转向十八吋。