台系DRAM厂近期在产能大幅扩充,使得供给大幅增加,也促使1Gb容量DDR 2 eTT芯片低价跌破2美元关卡,在这次的DRAM价格回档中,eTT芯片跌幅较品牌芯片深很多,品牌芯片的价格则维持在2.4~2.5美元之间,然12月合约价恐有往下的压力。

DRAM现货价近 2周内大跌逾 15%,主因市场供给增加,除了现货商抛售库存获利了结,久未在现货市场出现的力晶(5346-TW)和南科(2408-TW)颗粒数量逐步增加,造成现货市场颗粒价格向下修正,预期现货价短期将在 2-2.5美元间盘整,12合约价则可

立法院经济委员会昨天做成主决议,要求国发基金明年度新增各项投资330亿元、不能用在DRAM产业再造计画,这和经济部主张,为了改善DRAM产业根本结构、不能缺少TIMC的看法不同。

立法院再度阻拦DRAM产业再造案,产业研究机构拓璞担忧台湾竞争力下滑;加上国际股市重挫,DRAM股股价全倒。从基本面来看,随报价逐步下滑,预估11月营收达今年高峰后下滑。

本月中以来,DRAM、NAND Flash现货价反转下跌,累积跌幅约二成,使得模块厂威刚(3260)、劲永(6145)本月营收将自高峰回落,创见(2451)因基期低,本月营收可能有撑,但12月起营收将同步下滑。

随着年底备货高峰将过,11月下旬NAND Flash市场主流的16Gb MLC合约均价下滑3.41%,预期12月价格恐将续跌。

台厂去年在景气最低迷时,为了减少现金流出,祭出减产策略,由力晶带头宣布减产,之后尔必达(Elpida)、南亚科、华亚科、茂德等纷纷效法,减产最大的月份,单月减产幅度曾高达80%,等于产能利用率只有20%,随着DRAM产能供给大幅减少,后来也带动DRAM价格

台系DRAM厂为抓准DRAM价格复苏的时间点,开始大量增加投片量,其中力晶增产的幅度将居冠,传出第4季位成长率将较第3季明显大增30~40%,力晶11月出货量大幅成长,也将反映在11月营收上,出现大幅度成长;

茂德2010年开始为尔必达代工DDR3芯片,但茂德原本采用海力士的技术和设备,现在要转到尔必达技术且做代工,必须要购买新机台设备,未来如何找到资金来添置机台设备,是市场关注焦点;再者,何时取得自有技术来源,是一个关注重点。

根据韩联社(Yonhap)报导,南韩政府宣布,已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作,进行磁性随机内存(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memo

台湾立法院经济委员会今(26)日再度做出主决议,要求“国发基金”不得用于DRAM再造,拓墣研究所表示,短期看无台官方介入,DRAM产业似乎博得“公平”二字,但台湾 DRAM产业长期如合技术自主,走出代工为人作嫁的命运?业者再不挺身而出,表态争取再造,一旦D

由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单,加上原本三星电子(Samsung Electronics)供应NAND Flash数量相当有限,12月供应量控制亦开始松动,以及白牌记忆卡在市面上流通数量增加,使得淡季需求明显反映在现货及合约价上,近2个月NA

台北信息月28日即将登场,内存模块厂趁机促销产品提振低迷已久的买气,尤其近期DRAM和NAND Flash价格不振,信息月是模块厂年底重要的促销活动,主打产品包括DDR3内存、快闪记忆卡、随身碟、MP3播放器、固态硬盘(SSD)等,测试Windows 7对

11月下旬DRAM合约价已终止4个月以来的涨势,开始进入持平缓跌的区间期,而同样的,利基型内存产品也出现相同表现。

过去几个月以来,三星电子的标准型DRAM以及NAND Flash持续供不应求,尤其是在2009年8~10月,2大内存产品缺货消息未曾断过,但供货不足问题可望在2009年11月陆续解决。

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